ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB หน่วยความจำ (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) ผู้ผลิต Samsung Electronics ประเทศที่ผลิต China Build ปี / สัปดาห์ 2010/38 ความจุข้อมูล 2GB ความเร็วนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM เทคโนโลยีกระบวนการผลิต 40nm Data bits x64 ธนาคารโมดูลภายใน 8 องค์ประกอบชิปข้อมูล [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 เงิน […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 หมายเลขชิ้นส่วน : EBJ21UE8BFU0-DJ-F ผู้ผลิต : ELPIDA ประเทศที่ผลิต : ไต้หวันสร้างปี/สัปดาห์ : 2010/38 ฟอร์มแฟกเตอร์ : คุณสมบัติ DDR3 SO-DIMM : 204หมุด, ความจุหน่วยความจำที่ไม่ใช่ ECC : 2GB อัตราข้อมูลสูงสุด : 1333Mbps แรงดันไฟฟ้า : 1.5องค์กร V : 256คำ M × 64 เกร็ด, 2 จัดอันดับองค์ประกอบชิป : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM มีพื้นที่หน่วยความจำชั่วคราวสำหรับข้อมูล I/O . ที่เร็วขึ้น. จะมีผลเมื่อระบบไม่สามารถรองรับหน่วยความจำแคชได้. แต่ถ้าระบบมีหน่วยความจำแคช, EDO DRAM มีผลเพียงเล็กน้อย. ผู้ผลิต : ฮุนไดอิเล็กทรอนิคส์อุตสาหกรรม จำกัด, จำกัด. สร้างปี / สัปดาห์ : 1997/32 ประเทศที่ผลิต : เกาหลี (เกาหลีใต้) ส่วนจำนวน […]

SIMM นี้ชุบด้วยสีทอง. สีการชุบและรูปแบบกระดานของ SIMM นี้แตกต่างจาก SIMM ที่มี GM71C4400A. GM71C4400B คือ 1M × 4bit. และ GM71C1000B คือ 1M × 4bit. ความจุหน่วยความจำและฟังก์ชันของ SIMM นี้ไม่ต่างจาก SIMM ที่มี GM71C4400A และ GM71C1000. การผลิต […]

Goldstar เป็นเครื่องหมายการค้าของ Goldstar Electron Co., จำกัด. เปลี่ยนชื่อเป็น LG Semiconductor (LG Semicon) ที่ 1995, และมันถูกรวมเข้ากับอุตสาหกรรมของ Hyundai Electronics (ตอนนี้ Hynix) ที่ 1999. บริษัท ผู้ผลิต : Goldstar Electron ปีที่ผลิต: 1993 ประเทศที่ผลิต : คุณสมบัติของโมดูลเกาหลีใต้ : 30หมุด, DRAM, SIMM, พาริตี้แรม […]