ชื่อผลิตภัณฑ์ : ซัมซุง DDR SDRAM 512MB PC3200 (อะไหล่ที่ไม่ใช่ของแท้) ส่วนจำนวน : ผู้ผลิต PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC : ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ (วินาที) ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ สร้างปี/สัปดาห์ : 2003/33 ความจุข้อมูล : 512ความเร็วสัญญาณนาฬิกา MB : 400เมกะเฮิรตซ์ (PC3200) คุณสมบัติ : 184หมุด, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM ส่วนประกอบชิปข้อมูล : [ก.ล.ต. K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ชิปข้อมูล […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 ผู้ผลิต : EKmemory ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ความจุข้อมูล : 2GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา : 1333เมกะเฮิรตซ์ (PC3-10600) คุณสมบัติ : 240หมุด, ส่วนประกอบชิปข้อมูล Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 ชิปแรงดัน VDD : 1.5V โฮมเพจ : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = DRAM&ไม่มี = 91

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 หน่วยความจำ (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-ch9, M378B5273DH1) ผู้ผลิต Samsung Electronics (วินาที) ประเทศที่ผลิตเกาหลีใต้สร้างปี / สัปดาห์ 2011/31 ความจุข้อมูล 4GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) Memory Timing CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM บิตข้อมูล x64 ลึก / บิตองค์กร 512M / x8 โมดูลภายใน […]

หน่วยความจำ A-DATA Vitesta DDR600 Viesta, ในโมดูลหน่วยความจำ DDR SDRAM, บรรลุความเร็วสัญญาณนาฬิกา 600Mhz ครั้งแรกด้วยชิปหน่วยความจำ Samsung TCCD. ความจุข้อมูลของ A-data Viesta คือ 512MB หรือ 256MB. ส่วนใหญ่ใช้สำหรับ ovcrclocking.   ชื่อผลิตภัณฑ์ A-DATA Vitesta DDR600 512MB หมายเลขชิ้นส่วน MDOSSLF3H47A0B1G0Z ผู้ผลิต A-DATA ประเทศที่ผลิต ไต้หวัน ปีที่สร้าง 2004 คุณสมบัติ 184 พิน Unbufferpin […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 หมายเลขชิ้นส่วน : EBJ21UE8BFU0-DJ-F ผู้ผลิต : ELPIDA ประเทศที่ผลิต : ไต้หวันสร้างปี/สัปดาห์ : 2010/38 ฟอร์มแฟกเตอร์ : คุณสมบัติ DDR3 SO-DIMM : 204หมุด, ความจุหน่วยความจำที่ไม่ใช่ ECC : 2GB อัตราข้อมูลสูงสุด : 1333Mbps แรงดันไฟฟ้า : 1.5องค์กร V : 256คำ M × 64 เกร็ด, 2 จัดอันดับองค์ประกอบชิป : J1108BFBG-DJ-F […]