ชื่อสินค้า SanDisk อัลตร้าแรงดัน 128GB ไมโคร SDXC UHS-I บัตรกับอะแดปเตอร์ชื่อรุ่น SQUNC-128G-GN6MA ผู้ผลิต SanDisk ประเทศที่ผลิตปัจจัยที่ประเทศจีนในแบบฟอร์ม microSDXC NAND แฟลชประเภท TLC อนุญาต 2.7 ~ 3.3 ความจุ V ข้อมูล 128 GB (119.052734375 ลิ่ม, 121910 MIB, 127,831,900,160 ไบต์) รูปแบบของระบบไฟล์ exFAT พื้นฐานความเร็วในการอ่าน: แม็กซ์. 80 MB / s (533x) ช่วงอุณหภูมิ […]

ชื่อสินค้าซัมซุง DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400 หมายเลขชิ้นส่วน M378T5663QZ3-CF7 ผู้ผลิตซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ในประเทศจีนผลิตรูปร่างปี / สัปดาห์ 2009/04, 2010/07 โมดูลหน่วยความจำประเภท DIMM ข้อมูลความจุ 2GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 800Mhz (PC2-6400) หน่วยความจำระยะเวลา CL = 6, tRCD = 6, TRP = 6 คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM ข้อมูล Bits x64 ภายในโมดูลธนาคาร 8 อันดับ 2 ข้อมูล […]

Lite-On 56Kbps dial-up PCI MODEM ภายใน (Agere Systems International Softmodem) Model Number D-11561#/A1A (4491A-D1156A1A) Manufacturer Lite-On Technology Corp. / Agere Systems Country of manufacture China Interface PCI Chipset Agere Systems SV92PL-T00 – Integrated PCI interface with 5-V tolerant buffers and CardBus support Power • Requires a 3.3-V auxiliary power rail on PCI bus • Uses […]

ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์การปล่อยตัว DDR3 SDRAM โมดูลที่ใช้เทคโนโลยี 30 นาโนเมตรกระบวนการในเดือนกรกฎาคม 2010. โมดูล RAM นี้ถูกสร้างขึ้นโดยเทคโนโลยีการผลิต 40nm. ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-ch9) ผู้ผลิต Samsung Electronics (วินาที) ประเทศที่ผลิตในประเทศจีนสร้างปี / สัปดาห์ 2011/13 ความจุข้อมูล 4GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) Timing หน่วยความจำ […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB หน่วยความจำ (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) ผู้ผลิต Samsung Electronics ประเทศที่ผลิต China Build ปี / สัปดาห์ 2010/38 ความจุข้อมูล 2GB ความเร็วนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM เทคโนโลยีกระบวนการผลิต 40nm Data bits x64 ธนาคารโมดูลภายใน 8 องค์ประกอบชิปข้อมูล [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 เงิน […]