ชื่อสินค้าซัมซุง DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400 หมายเลขชิ้นส่วน M378T5663QZ3-CF7 ผู้ผลิตซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ในประเทศจีนผลิตรูปร่างปี / สัปดาห์ 2009/04, 2010/07 โมดูลหน่วยความจำประเภท DIMM ข้อมูลความจุ 2GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 800Mhz (PC2-6400) หน่วยความจำระยะเวลา CL = 6, tRCD = 6, TRP = 6 คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM ข้อมูล Bits x64 ภายในโมดูลธนาคาร 8 อันดับ 2 ข้อมูล […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) ผู้ผลิต Samsung Electronics ประเทศที่ผลิต Philippine Build ปี / สัปดาห์ 2014/08 ความจุข้อมูล 8GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1600Mhz (PC3-12800) Memory Timing CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11 คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM เทคโนโลยีกระบวนการผลิต 20, 30, 40nm Data bits x64 Internal Modules Banks 8 อันดับ […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 ผู้ผลิต : EKmemory ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ความจุข้อมูล : 2GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา : 1333เมกะเฮิรตซ์ (PC3-10600) คุณสมบัติ : 240หมุด, ส่วนประกอบชิปข้อมูล Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 ชิปแรงดัน VDD : 1.5V โฮมเพจ : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = DRAM&ไม่มี = 91

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 หน่วยความจำ (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-ch9, M378B5273DH1) ผู้ผลิต Samsung Electronics (วินาที) ประเทศที่ผลิตเกาหลีใต้สร้างปี / สัปดาห์ 2011/31 ความจุข้อมูล 4GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) Memory Timing CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM บิตข้อมูล x64 ลึก / บิตองค์กร 512M / x8 โมดูลภายใน […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB หน่วยความจำ (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) ผู้ผลิต Samsung Electronics ประเทศที่ผลิต China Build ปี / สัปดาห์ 2010/38 ความจุข้อมูล 2GB ความเร็วนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM เทคโนโลยีกระบวนการผลิต 40nm Data bits x64 ธนาคารโมดูลภายใน 8 องค์ประกอบชิปข้อมูล [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 เงิน […]