M368L6423DTM คือ 32M บิต x 64 อัตราข้อมูลสองครั้ง(DDR) โมดูลหน่วยความจำความหนาแน่นสูง SDRAM ตามการกำเนิดที่ห้าของ 256Mb DDR SDRAM ตามลำดับ. M368L6423DTM ประกอบด้วย CMOS 16M x สิบหกชุด 8 bit กับ SDRAMs อัตราการส่งข้อมูลคู่ 4 ใน 66pin TSOP-II(400หนึ่งพัน) แพคเกจติดตั้งบนพื้นผิวแก้วอีพ็อกซี่ 184pin. ตัวเก็บประจุแยกส่วน 0.1uF สี่ตัวคือ […]

ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์การปล่อยตัว DDR3 SDRAM โมดูลที่ใช้เทคโนโลยี 30 นาโนเมตรกระบวนการในเดือนกรกฎาคม 2010. โมดูล RAM นี้ถูกสร้างขึ้นโดยเทคโนโลยีการผลิต 40nm. ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-ch9) ผู้ผลิต Samsung Electronics (วินาที) ประเทศที่ผลิตในประเทศจีนสร้างปี / สัปดาห์ 2011/13 ความจุข้อมูล 4GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) Timing หน่วยความจำ […]

ผู้ผลิต : ฮุนไดอิเล็กทรอนิคส์อุตสาหกรรม จำกัด, จำกัด. สร้างปี : 1994 ประเทศที่ผลิต : หมายเลขชิ้นส่วนของเกาหลีใต้ : HYM532100AM-70 ฟอร์มแฟกเตอร์ : SIMM ประเภทหน่วยความจำ : ความจุหน่วยความจำ EDO DRAM : 4MB ประเภทบัส : หน่วยความจำหน้าเร็ว (FPM) แก้ไขข้อผิดพลาด : พินที่ไม่เท่าเทียมกัน : 72พินแบนด์วิดท์ : 32บิตแฝง : 70NS (Trac) แรงดันไฟฟ้า […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : Samsung SDRAM 32MB PC66 หมายเลขชิ้นส่วน : KMM366S403BTN-G0 ผู้ผลิต : ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ (วินาที) ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ สร้างปี/สัปดาห์ : 1997/33 ความจุข้อมูล : 32ความเร็วสัญญาณนาฬิกา MB : 66เมกะเฮิรตซ์ (PC66) คุณสมบัติ : 168หมุด, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM องค์ประกอบของชิปข้อมูล : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 ชิป VDD : 3.3V

ชื่อผลิตภัณฑ์ : ซัมซุง DDR SDRAM 512MB PC3200 (อะไหล่ที่ไม่ใช่ของแท้) ส่วนจำนวน : ผู้ผลิต PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC : ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ (วินาที) ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ สร้างปี/สัปดาห์ : 2003/33 ความจุข้อมูล : 512ความเร็วสัญญาณนาฬิกา MB : 400เมกะเฮิรตซ์ (PC3200) คุณสมบัติ : 184หมุด, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM ส่วนประกอบชิปข้อมูล : [ก.ล.ต. K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ชิปข้อมูล […]