ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB หน่วยความจำ (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) ผู้ผลิต Samsung Electronics ประเทศที่ผลิต China Build ปี / สัปดาห์ 2010/38 ความจุข้อมูล 2GB ความเร็วนาฬิกา 1333Mhz (PC3-10600) คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM เทคโนโลยีกระบวนการผลิต 40nm Data bits x64 ธนาคารโมดูลภายใน 8 องค์ประกอบชิปข้อมูล [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 เงิน […]

หน่วยความจำ A-DATA Vitesta DDR600 Viesta, ในโมดูลหน่วยความจำ DDR SDRAM, บรรลุความเร็วสัญญาณนาฬิกา 600Mhz ครั้งแรกด้วยชิปหน่วยความจำ Samsung TCCD. ความจุข้อมูลของ A-data Viesta คือ 512MB หรือ 256MB. ส่วนใหญ่ใช้สำหรับ ovcrclocking.   ชื่อผลิตภัณฑ์ A-DATA Vitesta DDR600 512MB หมายเลขชิ้นส่วน MDOSSLF3H47A0B1G0Z ผู้ผลิต A-DATA ประเทศที่ผลิต ไต้หวัน ปีที่สร้าง 2004 คุณสมบัติ 184 พิน Unbufferpin […]

KMM591000AN-7 ประกอบด้วยสองชิป KM44C1000AJ-7 และหนึ่งชิป KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 ประกอบด้วยสองชิป KM44C1000BJ-7 และหนึ่ง KM44C1000CJ-7 ชิป. เป็น DRAM SIMM 1MB ที่ผลิตโดย Samsung Electronics. บริษัท ผู้ผลิต : ปีที่ผลิต Samsung Electronics : 1992 / 1993 ประเทศที่ผลิต : คุณสมบัติของโมดูลเกาหลีใต้ : 30หมุด, SIMM, ความจุหน่วยความจำ RAM ของพาริตี้ […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 หมายเลขชิ้นส่วน : EBJ21UE8BFU0-DJ-F ผู้ผลิต : ELPIDA ประเทศที่ผลิต : ไต้หวันสร้างปี/สัปดาห์ : 2010/38 ฟอร์มแฟกเตอร์ : คุณสมบัติ DDR3 SO-DIMM : 204หมุด, ความจุหน่วยความจำที่ไม่ใช่ ECC : 2GB อัตราข้อมูลสูงสุด : 1333Mbps แรงดันไฟฟ้า : 1.5องค์กร V : 256คำ M × 64 เกร็ด, 2 จัดอันดับองค์ประกอบชิป : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM มีพื้นที่หน่วยความจำชั่วคราวสำหรับข้อมูล I/O . ที่เร็วขึ้น. จะมีผลเมื่อระบบไม่สามารถรองรับหน่วยความจำแคชได้. แต่ถ้าระบบมีหน่วยความจำแคช, EDO DRAM มีผลเพียงเล็กน้อย. ผู้ผลิต : ฮุนไดอิเล็กทรอนิคส์อุตสาหกรรม จำกัด, จำกัด. สร้างปี / สัปดาห์ : 1997/32 ประเทศที่ผลิต : เกาหลี (เกาหลีใต้) ส่วนจำนวน […]