Avtor DeviceLog.com | Objavljeno v EDO DRAM | Objavljeno na 2013-03-15
0


- Proizvajalec : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
- Leto gradnje : 1994
- Država izdelave : Južna Koreja
- številka dela : HYM532100AM-70
- Form Factor : SIMM
- Vrsta pomnilnika : EDO DRAM
- Kapaciteta pomnilnika : 4MB
- Vrsta avtobusa : Hitri pomnilnik strani (FPM)
- Popravek napak : Neparitetnost
- Zatiči : 72pin
- Pasovna širina : 32bit
- latence : 70ns (tRAC)
- Napetost : 5V
- Chip Sestava : [HY514400A J-70] × 8
- Kapaciteta enega čipa : 1M x 4 bit