Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM
postado por DeviceLog.com | Postado em DDR3 SDRAM | postado em 2015-03-02
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A Samsung Electronics lançou módulos DDR3 SDRAM usando a tecnologia de processo de 30nm em julho 2010. Este módulo de RAM foi feito pela tecnologia de processo de 40nm.
| Nome do Produto | Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) |
|---|---|
| Fabricante | Samsung Electronics (SEC) |
| País de fabricação | China |
| Ano de construção / semana | 2011/13 |
| Capacidade de dados | 4GB |
| Velocidade do relógio | 1333Mhz (PC3-10600) |
| O sincronismo de memória | CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 |
| Recursos | 204PIN, SODIMM, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM |
| tecnologia de processo de produção | 40nm |
| Bits de dados | x64 |
| bancos módulo interno | 8 |
| ranks | 2 |
| composição chip de dados | 256M x 8 * 16 pcs |
| revisão Component | 2Gb, C-a |
| Pacote | 78 bola FBGA |
| Altura | 30milímetros |
| tensão VDD | 1.5V |
| Caso TEMPERATURA DE OPERAÇÃO | 0° C ~ 85 ° C |
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