Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70)

postado por DeviceLog.com | Postado em EDO DRAM | postado em 2013-03-15

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Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Construir ano : 1994 País de fabricação : Número da Peça Coréia do Sul : Fator de forma HYM532100AM-70 : Tipo de memória SIMM : Capacidade de memória EDO DRAM : 4Tipo de barramento MB : Memória de página rápida (FPM) Correção de erros : Pinos sem paridade : 72largura de banda do pino : 32latência de bits : 70ns (tRAC) Voltagem […]

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Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0)

postado por DeviceLog.com | Postado em SDRAM | postado em 2013-03-14

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Nome do Produto : Samsung SDRAM 32MB PC66 Part number : KMM366S403BTN-G0 Manufacturer : Samsung Electronics (SEC) País de fabricação : Coreia do Sul Construir ano/semana : 1997/33 Capacidade de dados : 32Velocidade do relógio MB : 66Mhz (Samsung SDRAM 32 MB PC66 KMM366S403BTN-G0) Recursos : 168PIN, Composição do chip de dados SDRAM DIMM não-ECC sem buffer : [Samsung SDRAM 32 MB PC66 KMM366S403BTN-G0] ✕ 16 chips VDD : 3.3V

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Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, não genuíno RAM)

postado por DeviceLog.com | Postado em DDR SDRAM | postado em 2013-03-13

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Nome do Produto : Samsung DDR SDRAM 512 MB PC3200 (peças não genuínas) Número da peça : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Fabricante : Samsung Electronics (SEC) País de fabricação : Coreia do Sul Construir ano/semana : 2003/33 Capacidade de dados : 512Velocidade do relógio MB : 400Mhz (PC3200) Recursos : 184PIN, Composição de chip de dados sem buffer DDR SDRAM DIMM sem buffer : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 dados de chips […]

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EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2RX8)

postado por DeviceLog.com | Postado em DDR3 SDRAM | postado em 2013-03-03

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Nome do Produto : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Fabricante : EKmemory País de fabricação : Capacidade de dados da Coreia do Sul : 2Velocidade do relógio GB : 1333Mhz (PC3-10600) Recursos : 240PIN, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Composição do chip de dados : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chips VDD tensão : 1.5V Homepage : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&não = 91

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Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2RX8, Coréia)

postado por DeviceLog.com | Postado em DDR3 SDRAM | postado em 2013-01-10

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Samsung DDR3 de 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131

Nome do produto Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Fabricante Samsung Electronics (SEC) País-produtor Coreia do Sul Ano de construção / semana 2011/31 Capacidade de dados 4 GB Velocidade do relógio 1333 MHz (PC3-10600) Tempo de memória CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 Recursos 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM bits de dados x64 Profundidade / Organização de bits 512M / Módulo Interno x8 […]

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