Nome do Produto Samsung DDR4 8GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) Número de peça M378A1K43CB2-CTD (C-a) Fabricante Samsung Electronics País de Fabricação China Ano de construção / Semana 2018 / 28 Tipo de DIMM Capacidade UDIMM dados 8GB Data Rate (Max Bandwidth) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) O sincronismo de memória (CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC) 19-19-19-43-61 Características 288pin, ECC sem buffer […]

Nome do Produto Samsung DDR2 SDRAM de 2 GB 2R × 8 PC2-6400 Part Number M378T5663QZ3-CF7 Fabricante Samsung Electronics País de Fabricação China Ano de construção / Semana 2009/04, 2010/07 Módulo de memória DIMM Tipo de Dados Capacidade 2GB Velocidade do relógio de 800Mhz (PC2-6400) O sincronismo de memória CL = 6, tRCD = 6, tRP = 6 Características 240pin, Unbuffer não-ECC DDR2 SDRAM DIMM Bits de Dados x64 Interno Módulo Bancos 8 ranks 2 Dados […]

Nome do produto Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Fabricante Samsung Electronics País-produtor Filipinas Ano / semana de fabricação 2014/08 Capacidade de dados 8 GB Velocidade do relógio 1600 MHz (PC3-12800) Tempo de memória CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11 Recursos 240 pinos, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Tecnologia de processo de produção 20, 30, 40nm bits de dados x64 Bancos de módulos internos 8 ranks […]

O M368L6423DTM é 32M bit x 64 Taxa de dados dupla(DDR) Módulo de memória de alta densidade SDRAM baseado na quinta geração de 256Mb DDR SDRAM respectivamente. O M368L6423DTM consiste em dezesseis CMOS 32M x 8 bit com SDRAMs de taxa de dados dupla de 4 bancos em 66 pinos TSOP-II(400mil) pacotes montados em um substrato de vidro-epóxi de 184 pinos. Quatro capacitores de desacoplamento de 0,1uF são […]

A Samsung Electronics lançou módulos DDR3 SDRAM usando a tecnologia de processo de 30nm em julho 2010. Este módulo de RAM foi feito pela tecnologia de processo de 40nm. Nome do produto Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Fabricante Samsung Electronics (SEC) País de fabricação China Ano de construção / semana 2011/13 Capacidade de dados 4 GB Velocidade do relógio 1333 MHz (PC3-10600) O sincronismo de memória […]