Nazwa produktu : Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM (nieoryginalne części) Numer części : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Producent : Samsung Electronics (SEC) Kraj produkcji : Korea Południowa Rok produkcji / tydzień : 2003/33 dane Wydajność : 512Szybkość zegara MB : 400Mhz (PC3200) cechy : 184kołek, Niebuforowana pamięć DDR SDRAM DIMM bez ECC Skład układu danych : [SEK K4H560838E-BNG] ✕ 8 chipy danych […]

Nazwa produktu : EKmemory DDR3 SDRAM 2 GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 producenta : EKmemory Kraj produkcji : Korea Południowa Dane Wydajność : 2szybkość zegara GB : 1333Mhz (PC3-10600) cechy : 240kołek, Kompozycja układ Unbuffer dla ECC DDR3 danych SDRAM DIMM : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 Napięcie wióry VDD : 1.5V strona główna : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = DRAM&NO = 91

Nazwa produktu Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 pamięci (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Producent Samsung Electronics (SEC) Kraj produkcji Korea Południowa Rok budowy / tydzień 2011/31 Dane Pojemność 4GB taktowania 1333 MHz (PC3-10600) Taktowanie pamięci CL = 9, tRCD = 9, TRP = 9 Cechy 240pin, Unbuffer bez ECC DDR3 SDRAM DIMM Bity danych Głębokość 64 / organizacja nieco 512M / x8 Moduł wewnętrzny […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, w modułach pamięci DDR SDRAM, po raz pierwszy osiągnięto taktowanie 600 MHz dzięki układom pamięci Samsung TCCD. Pojemność danych A-data Viesta wynosiła 512 MB lub 256 MB. Był używany głównie do overclockingu.   Nazwa produktu A-DATA Vitesta DDR600 512MB Numer części MDOSSLF3H47A0B1G0Z Producent A-DATA Kraj produkcji Tajwan Rok produkcji 2004 Zawiera 184pin Unbuffer […]

Nazwa produktu : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Numer części : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Producent : ELPIDA Kraj producenta : Tajwan Rok / tydzień produkcji : 2010/38 Form Factor : Funkcje DDR3 SO-DIMM : 204kołek, Pojemność pamięci bez ECC : 2Maksymalna szybkość transmisji danych GB : 1333Napięcie Mbps : 1.5V Organizacja : 256Słowa mx 64 bity, 2 rangi Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]