Wydajny OEM SSD Samsung 256 GB PM981 M.2 PCIe NVMe (Kontroler Feniksa)

Samsung PM981 to produkt OEM pochodzący od firmy Samsung 970 EVO.

Ten dysk jest wyposażony w nową 64-warstwową pamięć V-NAND firmy Samsung i wydajny kontroler, który zapewnia do 3,000 MB/s sekwencyjnej przepustowości odczytu i 270,000 losowy odczyt IOPS.

Kontroler pamięci Samsung Polaris V2 był używany we wczesnej wersji, ale w późniejszej wersji zastosowano kontroler pamięci ARM Phoenix.

Przez pewien czas był popularny ze względu na dobry stosunek jakości do ceny.

Nazwa produktu	Wydajny OEM SSD Samsung 256 GB PM981 M.2 PCIe NVMe
Numer części	MZVLB256HAHQ-00000
Model	MZ-VLB2560
Wydany rok	2017
Producent	Samsung
Kraj produkcji	Chiny
PKlasyfikacja produktu	Wewnętrzny dysk SSD (Dysk SSD)
Form Factor	M.2 (2280)
Berło	PCIe 3.0 (x4) (32GT/s)
Interfejs kontrolera hosta	NVMe 1.2
Katastrofa	256GB
Bajt na sektor	512Bajt
Typ pamięci	Pamięć flash NAND, TLC
Struktura NAND	Samsung V-NAND V4 (TLC 3D NAND, 64-warstwy)
NAPARSTEK	○
Buforowanie SLC	○
Wydajność	– Czytanie sekwencyjne : 3000MB / s – Zapis sekwencyjny : 1800MB / s – IOPS dla odczytu : max. 270k – IOPS dla zapisu : max. 420k
Kontroler pamięci	ARM Feniks (S4LR020 S821HNQD 1842 ARM Feniks)
Radiator NVMe	nie wliczone
UBERA	< 1 sektor na 10 15 przeczytane bity
MTBF	1.5 Milion godzin
Temperatura	Operacyjny : 0°C ~ 70°C Nieoperacyjne : -40° C + 85 ° C
Wilgotność (bez kondensacji)	Nieoperacyjne : 5 ~ 95%
liniowy Shock	Nieoperacyjne (0.5czas trwania ms z 1/2 sinusoida) : 1,500 Gszczyt
Wibracja	Nieoperacyjne (20 ~ 2,000 Hz, Sinusoidalny) : 20 Gszczyt
Tętnienie/szum napięcia (maks.)	100mV p-p
Pobór energii	– Czytać (Typ, RMS) : 5.9W – Pisać (Typ, RMS) : 5.7W – Bezczynny (Typ) : 30mW – L1.2 (Typ) : 5mW
Szerokość	22.00 ± 0.15 mm
Długość	80.00 ± 0.15 mm
Wysokość	max. 2.38 mm
Waga	max. 9.0sol