EDO DRAM ma tymczasowej pamięci na szybsze danych I / O. Jest skuteczny, gdy system nie może otrzymać wsparcie pamięci podręcznej. Ale jeśli system jest wyposażony w pamięć cache, efekt EDO DRAM jest mało. Producent : Hyundai Electronics Industries Co., Sp. z o.o. Rok budowy / tydzień : 1997/32 Kraj produkcji : Korea (Korea Południowa) Numer części […]

Ten SIMM pokryty złotym kolorem. Kolor poszycia i forma płytki tego modułu SIMM różni się od modułu SIMM z GM71C4400A. GM71C4400B ma wielkość 1 M × 4 bity. A GM71C1000B to 1 M × 4 bity. Pojemność pamięci i funkcja tego modułu SIMM nie różni się od modułu SIMM z modelami GM71C4400A i GM71C1000. Produkcja […]

Goldstar to znak towarowy firmy Goldstar Electron Co., Sp. z o.o. Zmienił nazwę na LG Semiconductor (LG Semicon) w 1995, i został włączony do branży Hyundai Electronics (Hynix teraz) w 1999. Firma produkcyjna : Goldstar Electron Rok produkcji: 1993 Kraj produkcji : Funkcje modułu w Korei Południowej : 30kołek, NAPARSTEK, SIMM, Pamięć RAM parzystości […]

Ta pamięć RAM to 30-pinowy 1 MB SIMM wyprodukowany przez przemysł Hyundai Electronics(Hynix teraz). 30-pinowe moduły SIMM były powszechnie używane od 80286 do 80486. Jeśli liczba żetonów jest liczbą nieparzystą, jeden z żetonów wykonuje kontrolę parzystości. Ta pamięć RAM składa się z dwóch HY514400A(1Mx 4bit) i jeden HY531000A(1M x 1 bit). Pojemność pamięci […]