Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

Објавено од УредиLog.com | Објавено во DDR3 SDRAM | Објавено на 2015-03-02

3

Самсунг Електроникс објави DDR3 SDRAM модули со помош на процесната технологија од 30 nm во јули 2010. Овој модул за RAM меморија е направен со технологија на процес од 40 nm.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB предна страна Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB задна страна

Име на производот Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Производител Samsung Electronics (ДИК)
Земја на производство Кина
Изградба година/недела 2011/13
Капацитет на податоците 4GB
Брзина на часовникот 1333Мхз (PC3-10600)
Тајминг на меморијата CL=9, tRCD=9, tRP=9
Карактеристики 204пин, СОДИММ, Одбаферирајте SDRAM без ECC DDR3
Технологија на производствениот процес 40нм
Битови за податоци x64
Внатрешни банки на модул 8
Редови 2
Состав на чип на податоци 256M x 8 * 16 парчиња
Ревизија на компонентата 2Gb, Ц-на
Пакет 78 топка FBGA
Висина 30мм
VDD напон 1.5V
Опсег на температурен случај во случај на работа 0°C ~ 85 °C

Коментари (3)

Би сакал да ја купам оваа меморија.

Здраво,

Како можам да нарачам едно од ова?

Ви благодарам!

Планирав да купам еден од овој модул

Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)

Напиши коментар