Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

Ievietoja DeviceLog.com | Ievietots DDR SDRAM | Publicēts 2015-03-03

0

M368L6423DTM ir 32 M bitu x 64 Dubults datu pārraides ātrums(DDR) SDRAM augsta blīvuma atmiņas modulis, kura pamatā ir attiecīgi piektās paaudzes 256 Mb DDR SDRAM. M368L6423DTM sastāv no sešpadsmit CMOS 32M x 8 bits ar 4banks Double Data Rate SDRAM 66 kontaktu TSOP-II(400milj) iepakojumi, kas uzstādīti uz 184 kontaktu stikla-epoksīda pamatnes. Katrai DDR SDRAM uz iespiedshēmas plates paralēli ir uzstādīti četri 0,1 uF atsaistes kondensatori.. M368L6423DTM Dual In-line atmiņas modulis ir paredzēts uzstādīšanai 184 kontaktu malas savienotāju ligzdās.

Samsung DDR SDRAM 256 MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256 MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Produkta nosaukums Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Ražotājs Samsung Electronics
Ražošanas valsts Koreja
Izgatavošanas gads/nedēļa 2003/12
Datu ietilpība 512MB
Pulksteņa ātrums 166Mhz (PC2700, DDR333)
Atmiņas laiks CL=2,5
Iespējas 184pin, DIMM, Nebuferēta DDR SDRAM bez ECC
Izmērs 133.35mm × 31,75 mm
Datu biti 64mazliet
Iekšējās moduļu bankas 4
Datu mikroshēmas sastāvs K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 biti × 16 mikroshēmas)
Iepakojums TSOP-II
VDD spriegums 2.5V ± 0,2V
Darbības korpusa temperatūras diapazons 0°C ~ 85°C

Saistītās ziņas:

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800) Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, neoriģinālā RAM) EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) Samsung 16 MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16 MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, Ķīna) Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8, Koreja) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 priekšpuseELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 Samsung HD154UI 1,5 GBSamsung Spinpoint F2EG HD154UI 1,5 TB Galaxy S4 LTE-A ③Samsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S) Samsung Galaxy S (SHW-M110S) BildeSamsung Galaxy S (SHW-M110S) Macronix MX86200 - SiS 6202Macronix MX86200 (SiS 6202) EK atmiņa 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK atmiņa 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM priekšpuseLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
Tagi:, , , , , , , , , , ,

Uzraksti komentāru