Gamintojas : „Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Sukūrimo metai : 1994 Gamybos šalis : Pietų Korėjos dalies numeris : HYM532100AM-70 formos koeficientas : SIMM atminties tipas : EDO DRAM atminties talpa : 4MB magistralės tipas : Greita puslapio atmintis (FPM) Klaidų taisymas : Neparitetiniai smeigtukai : 72pin Bandwidth : 32bitų delsa : 70ns (tRAC) Įtampa […]

Produkto pavadinimas : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Gamintojas : EKmemory Gamybos šalis : Pietų Korėjos duomenų talpa : 2GB Laikrodžio greitis : 1333Mhz (PC3-10600) funkcijos : 240smeigtukas, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Duomenų lusto sudėtis : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 lustai VDD įtampa : 1.5V pagrindinis puslapis : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = drama&ne = 91

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Gamybos įmonė : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Gamybos šalis : South Korea Module Features : 30smeigtukas, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM turi laikiną atminties vietą greitesniam duomenų įvesties / išvesties procesui. Tai veiksminga, kai sistema negali gauti talpyklos atminties palaikymo. Bet jei sistemoje yra talpyklos atmintis, EDO DRAM efektas menkas. Gamintojas : „Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Sukurkite metus / savaitę : 1997/32 Gamybos šalis : Korėja (Pietų Korėja) Dalies numeris […]

Ši RAM yra 30 kontaktų 1 MB SIMM, kurią gamina „Hyundai Electronics Industry“.(Hynix dabar). 30-PIN SIMM buvo naudojami visuotinai nuo 80286 į 80486. Jei žetonų skaičius yra nelyginis, vienas iš lustų atlieka pariteto patikrinimą. Šią RAM sudaro du HY514400A(1M x 4 bitai) ir vienas HY531000A(1M x 1 bitas). The memory capacity of […]