„Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM“ (HYM532100AM-70)

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta EDO DRAMAS | Publikuotas 2013-03-15

0

„Hyundai“ 72 kontaktų 4 MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70 ns greitas puslapis neparityvo SIMM

„Hyundai“ 72 kontaktų 4 MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70 ns greitas puslapis neparityvo SIMM

  • Gamintojas : „Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Sukūrimo metai : 1994
  • Gamybos šalis : Pietų Korėja
  • Dalies numeris : HYM532100AM-70
  • Formos koeficientas : SIMM
  • Atminties tipas : EDO DRAMAS
  • Atminties talpa : 4MB
  • Autobuso tipas : Greita puslapio atmintis (FPM)
  • Klaidų taisymas : Neparitetas
  • Smeigtukai : 72smeigtukas
  • Pralaidumas : 32šiek tiek
  • Latencija : 70ns (tRAC)
  • Įtampa : 5V
  • Lustų kompozicija : [HY514400A J-70] × 8
  • Vieno lusto talpa : 1M x 4 bitai

Susiję įrašai:

„Hyundai 72pin“ 16MB DRAM SIMM HY5117404B (Priekinė pusė)„Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM“ (HYM532414) LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM priekinė dalisLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) „Hyundai“ 30 kontaktų 1 MB SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)„Hyundai 1MB DRAM 30pin SIMM“ „Samsung 1MB DRAM SIMM“ užpakalinė dalis (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)„Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM“ „Goldstar 30pin“ 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) (priekinė pusė)„Goldstar“ 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) „Goldstar 30pin“ 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (priekinė pusė)„Goldstar“ 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) „EKmemory“ 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) „Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM“ EK atmintis 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK atmintis 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6
Žymos:, , , , , , , , , , , , ,

Parašykite komentarą