„Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM“ (HYM532414)

EDO DRAM turi laikiną atminties vietą greitesniam duomenų įvesties / išvesties procesui. Tai veiksminga, kai sistema negali gauti talpyklos atminties palaikymo. Bet jei sistemoje yra talpyklos atmintis, EDO DRAM efektas menkas.

• Gamintojas : „Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
• Sukurkite metus / savaitę : 1997/32
• Gamybos šalis : Korėja (Pietų Korėja)
• Dalies numeris : HYM532414 BM-60
• Formos koeficientas : SIMM
• funkcijos : 72smeigtukas, EDO DRAMAS, Neparitetas
• Atminties talpa : 16MB
• Pralaidumas : 32šiek tiek
• Greitis : 60ns(tRAC)
• Įtampa : 5V
• Lustų kompozicija : HY5117404B(J-60) × 8
• Vieno lusto talpa : 4M x 4 bitai

Susiję įrašai:

LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) „Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM“ (HYM532100AM-70) „Hyundai 1MB DRAM 30pin SIMM“ „Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM“ „Goldstar“ 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) „Goldstar“ 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) „EKmemory“ 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) „Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM“ EK atmintis 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)