ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : ຫ້ອງ Samsung SDHC 10 ຊື່ຕົວແບບ 32GB ທີ່ຈຳເປັນ : MB-SSBGA/KR ຜູ້ຜະລິດ : Samsung Electronics ປະເທດຜະລິດ : ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ : ຂະໜາດ SDHC : 32mm x 24mm x 2.1mm ຄວາມຈຸຂໍ້ມູນ : 32GB (2923Samsung SDHC Essential 32GB Class, 29927Samsung SDHC Essential 32GB Class) Samsung SDHC Essential 32GB Class : Samsung SDHC Essential 32GB Class. 24ຄວາມໄວໃນການຂຽນ MB/s : Samsung SDHC Essential 32GB Class. 13MB/s ແຮງດັນທີ່ອະນຸຍາດ : 2.7 Samsung SDHC Essential 32GB Class […]

ຊື່ຜະລິດຕະພັນ Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics (ສ) ປະເທດຜະລິດເກົາຫຼີໃຕ້ສ້າງປີ/ອາທິດ 2011/31 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 4GB ຄວາມໄວໂມງ 1333Mhz (PC3-10600) ເວລາໜ່ວຍຄວາມຈຳ CL=9, tRCD = 9, tRP=9 ຄຸນສົມບັດ 240pin, Unbuffer ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR3 SDRAM DIMM Data bits x64 ຄວາມເລິກ / ອົງການຈັດຕັ້ງບິດ 512M / x8 ໂມດູນພາຍໃນ […]

ຊື່ຜະລິດຕະພັນ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics ປະເທດຜູ້ຜະລິດຈີນສ້າງປີ/ອາທິດ 2010/38 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 2GB ຄວາມໄວໂມງ 1333Mhz (PC3-10600) ຄຸນນະສົມບັດ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM ເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການຜະລິດ 40nm Data bits x64 ທະນາຄານໂມດູນພາຍໃນ 8 ສ່ວນປະກອບຊິບຂໍ້ມູນ [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 ຊິບ […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, ໃນໂມດູນຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ DDR SDRAM, ທໍາອິດບັນລຸຄວາມໄວ 600Mhz ກັບຊິບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ Samsung TCCD. ຄວາມອາດສາມາດຂໍ້ມູນຂອງ A-data Viesta ແມ່ນ 512MB ຫຼື 256MB. ມັນຖືກນໍາໃຊ້ສ່ວນໃຫຍ່ສໍາລັບການ ovcrclocking.   ຊື່ຜະລິດຕະພັນ A-DATA Vitesta DDR600 512MB ເລກສ່ວນ MDOSSLF3H47A0B1G0Z ຜູ້ຜະລິດ A-DATA ປະເທດທີ່ຜະລິດໄຕ້ຫວັນສ້າງປີ 2004 ຄຸນສົມບັດ 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 ປະກອບດ້ວຍຊິບ KM44C1000AJ-7 ສອງ ໜ່ວຍ ແລະຊິບ KM44C1000CJ-7 ຈຳ ນວນ ໜຶ່ງ. KMM591000BN-7 ປະກອບດ້ວຍຊິບ KM44C1000BJ-7 ສອງ ໜ່ວຍ ແລະຊິບ KM44C1000CJ-7 ຈຳ ນວນ ໜຶ່ງ. ພວກມັນແມ່ນ SIMMs 1 MB DRAM ທີ່ຜະລິດໂດຍ Samsung Electronics. ບໍລິສັດຜະລິດ : ຜະລິດຕະພັນ Samsung Electronics ປີ : 1992 / 1993 ປະເທດຜະລິດ : ຄຸນສົມບັດໂມດູນເກົາຫຼີໃຕ້ : 30pin, SIMM, ຄວາມສາມາດຫນ່ວຍຄວາມ ຈຳ RAM Parity […]