ຊື່ຜະລິດຕະພັນ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics ປະເທດຜູ້ຜະລິດຈີນສ້າງປີ/ອາທິດ 2010/38 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 2GB ຄວາມໄວໂມງ 1333Mhz (PC3-10600) ຄຸນນະສົມບັດ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM ເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການຜະລິດ 40nm Data bits x64 ທະນາຄານໂມດູນພາຍໃນ 8 ສ່ວນປະກອບຊິບຂໍ້ມູນ [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 ຊິບ […]

ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : ເລກສ່ວນ ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 : ຜູ້ຜະລິດ EBJ21UE8BFU0-DJ-F : ELPIDA ປະເທດຜະລິດ : ໄຕ້ຫວັນສ້າງປີ/ອາທິດ : 2010/38 ປັດໃຈແບບຟອມ : ຄຸນສົມບັດ DDR3 SO-DIMM : 204pin, ຄວາມອາດສາມາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາທີ່ບໍ່ແມ່ນ ECC : 2GB ອັດຕາຂໍ້ມູນສູງສຸດ : 1333ແຮງດັນ Mbps : 1.5V ອົງການຈັດຕັ້ງ : 256M ຄຳ × 64 ບິດ, 2 ອັນດັບຂອງອົງປະກອບຂອງຊິບ : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM ມີພື້ນທີ່ຄວາມຊົງຈໍາຊົ່ວຄາວເພື່ອໃຫ້ຂໍ້ມູນ I/O ໄວຂຶ້ນ. ມັນມີປະສິດຕິຜົນເມື່ອລະບົບບໍ່ສາມາດຮັບການຮອງຮັບໜ່ວຍຄວາມຈຳຖານຄວາມຈຳໄດ້. ແຕ່ຖ້າລະບົບມີຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ cache, ຜົນກະທົບຂອງ EDO DRAM ແມ່ນຫນ້ອຍ. ຜູ້ຜະລິດ : ບໍລິສັດອຸດສາຫະ ກຳ ໄຟຟ້າ Hyundai, ບໍລິສັດ ຈຳ ກັດ. ສ້າງປີ / ອາທິດ : 1997/32 ປະເທດຜະລິດ : ເກົາຫລີ (ເກົາ​ຫຼີ​ໃຕ້) ລະຫັດສິນຄ້າ […]

ແຜ່ນ SIMM ນີ້ມີສີທອງ. ສີແຜ່ນແລະແບບຟອມກະດານຂອງ SIMM ນີ້ແຕກຕ່າງຈາກ SIMM ກັບ GM71C4400A. GM71C4400B ແມ່ນ 1M × 4bit. ແລະ GM71C1000B ແມ່ນ 1M × 4bit. ຄວາມຈຸຂອງ ໜ່ວຍ ຄວາມ ຈຳ ແລະ ໜ້າ ທີ່ຂອງ SIMM ນີ້ບໍ່ແຕກຕ່າງຈາກ SIMM ກັບ GM71C4400A ແລະ GM71C1000. ການຜະລິດ […]

Goldstar ແມ່ນເຄື່ອງ ໝາຍ ການຄ້າຂອງບໍລິສັດ Goldstar Electron Co., ບໍລິສັດ ຈຳ ກັດ. ມັນໄດ້ປ່ຽນຊື່ເປັນ LG Semiconductor (LG Semicon) ຢູ່ 1995, ແລະມັນໄດ້ຖືກລວມເຂົ້າໃນອຸດສາຫະກໍາ Hyundai Electronics (Hynix ຂອງດຽວນີ້) ຢູ່ 1999. ບໍລິສັດຜະລິດ : Goldstar electronics ຜະລິດປີ: 1993 ປະເທດຜະລິດ : ຄຸນສົມບັດໂມດູນເກົາຫຼີໃຕ້ : 30pin, DRAM, SIMM, RAM Parity […]