ຊື່ຜະລິດຕະພັນ Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics ປະເທດທີ່ຜະລິດ Philippine ສ້າງປີ/ອາທິດ 2014/08 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 8GB ຄວາມໄວ 1600Mhz (PC3-12800) ເວລາໜ່ວຍຄວາມຈຳ CL=11, tRCD = 11, tRP=11 ຄຸນສົມບັດ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM ເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການຜະລິດ 20, 30, 40nm Data bits x64 ທະນາຄານໂມດູນພາຍໃນ 8 ຈັດລຽງລໍາດັບ […]

ASRock 880GMH-LE / USB3(ເມນບອດ) ສະຫນັບສະຫນູນ Socket am3 amd athlon II / Phnome II X2 ~ x6 cpus. ມັນມີຕົວຂະຫຍາຍໂພລີເມີທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງທີ່ຜະລິດຢູ່ປະເທດຍີ່ປຸ່ນ. ຊື່ຜະລິດຕະພັນ ASTOC ASROC 880GMH-LE / usb3: AMD 880g • Southbridge: ຮູບແບບ AMD SB710 •ປັດໄຈແບບຟອມ AX ATX (9.6-ໃນ× 8. ໃນ, 24.4cm × 20.8cm) •ແຂງ […]

Samsung Electronics ໄດ້ປ່ອຍໂມດູນ DDR3 SDRAM ໂດຍໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີຂະບວນການ 30nm ໃນເດືອນກໍລະກົດ 2010. ໂມດູນ RAM ນີ້ຖືກສ້າງຂື້ນໂດຍເຕັກໂນໂລຢີໃນຂະບວນການ 40nm. ຊື່ຜະລິດຕະພັນຊື່ Samsung Ddr3 sdram PC3-10600 4GB ສະນັ້ນ dimm (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics (ສ) ປະເທດຂອງການຜະລິດປະເທດຈີນການກໍ່ສ້າງປີ / ອາທິດ 2011/13 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 4GB ຄວາມໄວໂມງ 1333Mhz (PC3-10600) ທີ່ໃຊ້ເວລາຈໍາ […]

ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : ຜູ້ຜະລິດ EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 : EKmemory ປະເທດຜະລິດ : ຄວາມອາດສາມາດດ້ານຂໍ້ມູນຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ : 2GB ຄວາມໄວໂມງ : 1333Mhz (PC3-10600) ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ : 240pin, Unbuffer ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR3 SDRAM DIMM ອົງປະກອບຊິບຂໍ້ມູນ : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chip VDD ແຮງດັນ : 1.5V ຫນ້າທໍາອິດ : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = ລະຄອນ&no = 91

ຊື່ຜະລິດຕະພັນ Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics (ສ) ປະເທດຜະລິດເກົາຫຼີໃຕ້ສ້າງປີ/ອາທິດ 2011/31 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 4GB ຄວາມໄວໂມງ 1333Mhz (PC3-10600) ເວລາໜ່ວຍຄວາມຈຳ CL=9, tRCD = 9, tRP=9 ຄຸນສົມບັດ 240pin, Unbuffer ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR3 SDRAM DIMM Data bits x64 ຄວາມເລິກ / ອົງການຈັດຕັ້ງບິດ 512M / x8 ໂມດູນພາຍໃນ […]