ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (ພາກສ່ວນທີ່ບໍ່ແມ່ນຂອງແທ້) ເລກສ່ວນ : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC ຜູ້ຜະລິດ : Samsung ເອເລັກໂຕຣນິກ (ສ) ປະເທດຜະລິດ : ເກົາຫຼີ ສ້າງປີ/ອາທິດ : 2003/33 ຄວາມອາດສາມາດຂໍ້ມູນ : 512MB ຄວາມໄວໂມງ : 400Mhz (PC3200) ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ : 184pin, ອົງປະກອບຊິບຂໍ້ມູນທີ່ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR SDRAM DIMM : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ຂໍ້ມູນຊິບ […]

ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : ຜູ້ຜະລິດ EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 : EKmemory ປະເທດຜະລິດ : ຄວາມອາດສາມາດດ້ານຂໍ້ມູນຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ : 2GB ຄວາມໄວໂມງ : 1333Mhz (PC3-10600) ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ : 240pin, Unbuffer ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR3 SDRAM DIMM ອົງປະກອບຊິບຂໍ້ມູນ : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chip VDD ແຮງດັນ : 1.5V ຫນ້າທໍາອິດ : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = ລະຄອນ&no = 91

ຊື່ຜະລິດຕະພັນ Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics (ສ) ປະເທດຜະລິດເກົາຫຼີໃຕ້ສ້າງປີ/ອາທິດ 2011/31 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 4GB ຄວາມໄວໂມງ 1333Mhz (PC3-10600) ເວລາໜ່ວຍຄວາມຈຳ CL=9, tRCD = 9, tRP=9 ຄຸນສົມບັດ 240pin, Unbuffer ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR3 SDRAM DIMM Data bits x64 ຄວາມເລິກ / ອົງການຈັດຕັ້ງບິດ 512M / x8 ໂມດູນພາຍໃນ […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, ໃນໂມດູນຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ DDR SDRAM, ທໍາອິດບັນລຸຄວາມໄວ 600Mhz ກັບຊິບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ Samsung TCCD. ຄວາມອາດສາມາດຂໍ້ມູນຂອງ A-data Viesta ແມ່ນ 512MB ຫຼື 256MB. ມັນຖືກນໍາໃຊ້ສ່ວນໃຫຍ່ສໍາລັບການ ovcrclocking.   ຊື່ຜະລິດຕະພັນ A-DATA Vitesta DDR600 512MB ເລກສ່ວນ MDOSSLF3H47A0B1G0Z ຜູ້ຜະລິດ A-DATA ປະເທດທີ່ຜະລິດໄຕ້ຫວັນສ້າງປີ 2004 ຄຸນສົມບັດ 184pin Unbuffer […]

ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : ເລກສ່ວນ ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 : ຜູ້ຜະລິດ EBJ21UE8BFU0-DJ-F : ELPIDA ປະເທດຜະລິດ : ໄຕ້ຫວັນສ້າງປີ/ອາທິດ : 2010/38 ປັດໃຈແບບຟອມ : ຄຸນສົມບັດ DDR3 SO-DIMM : 204pin, ຄວາມອາດສາມາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາທີ່ບໍ່ແມ່ນ ECC : 2GB ອັດຕາຂໍ້ມູນສູງສຸດ : 1333ແຮງດັນ Mbps : 1.5V ອົງການຈັດຕັ້ງ : 256M ຄຳ × 64 ບິດ, 2 ອັນດັບຂອງອົງປະກອບຂອງຊິບ : J1108BFBG-DJ-F […]