Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

ຈັດພີມມາໂດຍ DeviceLog.com | ຂຽນເມື່ອໃນ DDR SDRAM | ຈັດພີມມາສຸດ 2015-03-03

0

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

M368L6423DTM ແມ່ນ 32M bit x 64 ອັດຕາຂໍ້ມູນສອງເທົ່າ(DDR) ໂມດູນຄວາມຊົງຈໍາຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ SDRAM ອີງໃສ່ການຜະລິດທີຫ້າຂອງ 256Mb DDR SDRAM ຕາມລໍາດັບ. M368L6423DTM ປະກອບດ້ວຍສິບຫົກ CMOS 32M x 8 bit ກັບ 4banks Double Data Rate SDRAMs ໃນ 66pin TSOP-II(400ລ້ານ) ແພັກເກັດທີ່ຕິດຢູ່ເທິງຊັ້ນຮອງແກ້ວ-epoxy 184pin. ສີ່ຕົວເກັບປະຈຸ decoupling 0.1uF ແມ່ນ […]

ສືບຕໍ່ການອ່ານ

Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

ຈັດພີມມາໂດຍ DeviceLog.com | ຂຽນເມື່ອໃນ DDR3 SDRAM | ຈັດພີມມາສຸດ 2015-03-02

3

Samsung Electronics ໄດ້ປ່ອຍໂມດູນ DDR3 SDRAM ໂດຍໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີຂະບວນການ 30nm ໃນເດືອນກໍລະກົດ 2010. ໂມດູນ RAM ນີ້ຖືກສ້າງຂື້ນໂດຍເຕັກໂນໂລຢີໃນຂະບວນການ 40nm. Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics (ສ) Country of manufacture China Build year/week 2011/13 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 4GB ຄວາມໄວໂມງ 1333Mhz (PC3-10600) ທີ່ໃຊ້ເວລາຈໍາ […]

ສືບຕໍ່ການອ່ານ

ລົດຮຸນໄດ 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70)

ຈັດພີມມາໂດຍ DeviceLog.com | ຂຽນເມື່ອໃນ EDO DRAM | ຈັດພີມມາສຸດ 2013-03-15

0

ຜູ້ຜະລິດ : ບໍລິສັດອຸດສາຫະ ກຳ ໄຟຟ້າ Hyundai, ບໍລິສັດ ຈຳ ກັດ. Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM : 1994 ປະເທດຜະລິດ : ເລກສ່ວນຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ : ປັດໄຈແບບຟອມ HYM532100AM-70 : ປະເພດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ SIMM : ຄວາມອາດສາມາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ EDO DRAM : 4ປະເພດລົດເມ MB : Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM (Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM) Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM : Pins ບໍ່ເທົ່າກັນ : 72pin Bandwidth : 32ບິດ Latency : 70ns (tRAC) ແຮງດັນໄຟຟ້າ […]

ສືບຕໍ່ການອ່ານ

Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN, G0)

ຈັດພີມມາໂດຍ DeviceLog.com | ຂຽນເມື່ອໃນ SDRAM | ຈັດພີມມາສຸດ 2013-03-14

1

ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : Samsung SDRAM 32MB PC66 ຈໍານວນສ່ວນ : KMM366S403BTN-G0 ຜູ້ຜະລິດ : Samsung ເອເລັກໂຕຣນິກ (ສ) ປະເທດຜະລິດ : ເກົາຫຼີ ສ້າງປີ/ອາທິດ : 1997/33 ຄວາມອາດສາມາດຂໍ້ມູນ : 32MB ຄວາມໄວໂມງ : 66Mhz (PC66) ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ : 168pin, ອົງປະກອບຊິບຂໍ້ມູນ DIMM ທີ່ບໍ່ແມ່ນ ECC SDRAM ທີ່ບໍ່ຖືກຈັດໃສ່ : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 ຊິບ VDD : 3.3V

ສືບຕໍ່ການອ່ານ

Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, RAM ບໍ່ແມ່ນທີ່ແທ້ຈິງ)

ຈັດພີມມາໂດຍ DeviceLog.com | ຂຽນເມື່ອໃນ DDR SDRAM | ຈັດພີມມາສຸດ 2013-03-13

3

ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (ພາກສ່ວນທີ່ບໍ່ແມ່ນຂອງແທ້) ເລກສ່ວນ : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC ຜູ້ຜະລິດ : Samsung ເອເລັກໂຕຣນິກ (ສ) ປະເທດຜະລິດ : ເກົາຫຼີ ສ້າງປີ/ອາທິດ : 2003/33 ຄວາມອາດສາມາດຂໍ້ມູນ : 512MB ຄວາມໄວໂມງ : 400Mhz (PC3200) ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ : 184pin, ອົງປະກອບຊິບຂໍ້ມູນທີ່ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR SDRAM DIMM : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ຂໍ້ມູນຊິບ […]

ສືບຕໍ່ການອ່ານ