Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM

KMM591000AN-7 besteet aus zwee KM44C1000AJ-7 Chips an engem KM44C1000CJ-7 Chip. KMM591000BN-7 besteet aus zwee KM44C1000BJ-7 Chips an engem KM44C1000CJ-7 Chip. Si sinn 1MB DRAM SIMMs produzéiert vu Samsung Electronics.

• Fabrikatioun Firma : Samsung Electronics
• Manufactured Year : 1992 / 1993
• Land vun Fabrikatioun : Südkorea
• Modul Funktiounen : 30pin, SIMM, Parity Ram
• Erënnerung Kapazitéit : 1MB
• Bandséierel : 8bëssen
• Geschwindegkeet Feature : 70ns(tRAC)
• Chip Zesummesetzung :
  KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
  KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7

Zesummenhang posts:

Hyundai 1MB DRAM 30pin SIMM Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (Spezifikatioune vun GM71C4400A + GMC71C1000 Ubidder) Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (Spezifikatioune vun GM71C4400B + GMC71C1000B Fotoen) Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70 Ubidder) LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (Spezifikatioune vun GM71C17400CJ6) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM Präis) Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2Rx8, M378B1G73QH0-CK0 Ubidder)