Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414)

EDO DRAM huet temporär Erënnerung Plaz fir méi séier Daten ech / O. Et ass effektiv wann de System net Cache Memory Support kann kréien. Mä wann de System huet Cache Erënnerung, den Effet vun EDO DRAM ass wéineg.

• Fabrikant beschwéiert : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ltd.
• Bau Joer / Woch : 1997/32
• Land vun Fabrikatioun : Korea (Südkorea)
• Deel Zuel : HYM532414 BM-60
• Form Faktor : SIMM
• Eegeschaften : 72pin, EDO DRAM, Net-Paritéit
• Erënnerung Kapazitéit : 16MB
• Bandbreedung : 32bëssen
• Speed : 60ns(tRAC)
• Stroumspannung : 5V
• Chip Zesummesetzung : HY5117404B(J-60) × 8
• One Chip Kapazitéit : 4M x 4bit

Zesummenhang posts:

LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (Spezifikatioune vun GM71C17400CJ6) Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70 Ubidder) Hyundai 1MB DRAM 30pin SIMM Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (Spezifikatioune vun GM71C4400A + GMC71C1000 Ubidder) Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (Spezifikatioune vun GM71C4400B + GMC71C1000B Fotoen) eKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2rx8) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S Fotoen)