Produit Numm : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66 Part Zuel : KMM366S203CTL-G0 Ubidder : Samsung Electronics Co., Ltd. (SEC) Land vun Fabrikatioun : Südkorea Build Joer / Woch : 1998/09 Daten Kapazitéit : 16MB Auer Vitesse : 66Mhz (PC66) Eegeschaften : 168 pin, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM Data Chip Zesummesetzung : [KM48S2020CT-G10 Ubidder] × 8 chips (2M […]

Produit Numm : LG SDRAM 16MB PC66 Part number : GMM2642233BLTG-10K 7101S Manufacturer : LG Semicon Co., Ltd. Land vun Fabrikatioun : Südkorea Build Joer / Woch : 1997/03 Daten Kapazitéit : 16MB Auer Vitesse : 66Mhz (PC66) Eegeschaften : 168pin, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM Data Chip Zesummesetzung : [GM72V16821BT10K] × 8 chips (2M × 64bit) One […]

Fabrikant beschwéiert : LG Semicon Co., Ltd. Land vun Fabrikatioun : South Korea Part Number : ? Form Faktor : SIMM Fonctiounen : 72pin, EDO DRAM, Non-Paritéit Erënnerung Kapazitéit : 16MB Bandbreed : 32bëssen Speed : 60ns(tRAC) Stroumspannung : 5V Chip Zesummesetzung : GM71C17400CJ6 × 8 Chip Build Joer / Woch : 1998/27 One Chip Kapazitéit : 4M […]

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. Fabrikant beschwéiert : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Build Year/Week : 1997/32 Land vun Fabrikatioun : Korea (Südkorea) Deel Zuel […]