Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 សមាសភាពបន្ទះឈីបទិន្នន័យ [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 បន្ទះសៀគ្វី […]

អង្គចងចាំ A-DATA Vitesta DDR600 Viesta, នៅក្នុងម៉ូឌុលមេម៉ូរី DDR SDRAM, ដំបូងទទួលបានល្បឿន ៦០០ មេហ្គាហឺតជាមួយនឹងបន្ទះឈីបសាំស៊ុងអេសស៊ីជី. សមត្ថភាពទិន្នន័យរបស់ A-data Viesta មានទំហំ ៥១២ មេកាបៃឬ ២៥៦ មេកាបៃ. ភាគច្រើនវាត្រូវបានប្រើសម្រាប់ ovcrclocking.   Product Name A-DATA Vitesta DDR600 512MB Part Number MDOSSLF3H47A0B1G0Z Manufacturer A-DATA Country of manufacture Taiwan Build Year 2004 Features 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 ផ្សំពីបន្ទះឈីប KM44C1000AJ-7 ចំនួនពីរនិងបន្ទះឈីប KM44C1000CJ-7 មួយ។. KMM591000BN-7 ផ្សំជាមួយឈីប KM44C1000BJ-7 ចំនួនពីរនិងបន្ទះឈីប KM44C1000CJ-7 មួយ។. ពួកគេជាស៊ីមកាត DRAM ទំហំ ១ មេកាបៃផលិតដោយក្រុមហ៊ុនអេឡិចត្រូនិកសាមសុង. ក្រុមហ៊ុនផលិត : ឆ្នាំផលិតអេឡិចត្រូនិក Samsung : 1992 / 1993 ប្រទេស​នៃ​ការផលិត : លក្ខណៈពិសេសនៃម៉ូឌុលកូរ៉េខាងត្បូង : 30ម្ជុល, ស៊ីមអឹម, សមត្ថភាពអង្គចងចាំ RAM Parity […]

ឈ្មោះ​ផលិតផល : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 កត្តា​សំណុំ​បែបបទ : DDR3 SO-DIMM Features : 204ម្ជុល, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 ប៊ីត, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM មានទំហំអង្គចងចាំបណ្តោះអាសន្នសម្រាប់ទិន្នន័យ I/O លឿនជាងមុន. វាមានប្រសិទ្ធភាពនៅពេលដែលប្រព័ន្ធមិនអាចទទួលបានការគាំទ្រអង្គចងចាំឃ្លាំងសម្ងាត់. ប៉ុន្តែប្រសិនបើប្រព័ន្ធមានអង្គចងចាំឃ្លាំងសម្ងាត់, ឥទ្ធិពលរបស់ EDO DRAM គឺតិចតួច. ក្រុមហ៊ុនផលិត : ក្រុមហ៊ុនអេឡិចត្រូនិកអេឡិចត្រូនិចឧស្សាហកម្ម, អិលធីឌី. សាងសង់ឆ្នាំ / សប្តាហ៍ : 1997/32 ប្រទេស​នៃ​ការផលិត : កូរ៉េ (កូរ៉េខាងត្បូង) លេខផ្នែក […]