Samsung 1МБ DRAM 30pin SIMM

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics.

• Өндірістік компания : Samsung Electronics
• Өндірілген жылы : 1992 / 1993
• Өндіруші елі : Оңтүстік Корея
• Модуль мүмкіндіктері : 30түйреуіш, SIMM, ЖЖҚ паритеті
• Жад сыйымдылығы : 1МБ
• Жолақ ені : 8бит
• Жылдамдық мүмкіндігі : 70ns(tRAC)
• Чиптің құрамы :
  KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
  KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7

Қатысты посттар:

Hyundai 1МБ DRAM 30pin SIMM Goldstar 1МБ DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) Goldstar 1МБ DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70) LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) Samsung 4 ГБ PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung 512 МБ PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) Samsung 8 ГБ PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0)