サムスン電子は7月に30nmのプロセス技術を使用してDDR3 SDRAMモジュールを発売しました 2010. このRAMモジュールは、40nmプロセス技術で作られました. 製品名サムスンDDR3 SDRAM PC3-10600 4ギガバイトSO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) メーカーサムスン電子 (SEC) 製造は中国の国ビルド年/週 2011/13 データ容量4ギガバイトクロックスピード1333 (PC3-10600) メモリのタイミング […]

メーカー : 現代電子産業株式会社, 株式会社. ビルド年 : 1994 製造国 : 韓国部品番号 : HYM532100AM-70フォームファクタ : SIMMメモリタイプ : EDODRAMメモリ容量 : 4MBバスタイプ : ファストページメモリ (FPM) エラー修正 : 非パリティピン : 72ピン帯域幅 : 32ビットレイテンシ : 70NS (tRACの) 電圧 […]

商品名 : Samsung SDRAM32MBPC66部品番号 : KMM366S403BTN-G0メーカー : サムスン電子 (SEC) 製造国 : 韓国ビルド年/週 : 1997/33 データ容量 : 32MBクロック速度 : 66メガヘルツ (PC66) 特徴 : 168ピン, バッファなしの非ECCSDRAMDIMMデータチップ構成 : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 チップVDD : 3.3V

商品名 : Samsung DDR SDRAM 512 MB PC3200 (非純正部品) 品番 : PC3200U-30331-B2M368L6423ETM-CCCメーカー : サムスン電子 (SEC) 製造国 : 韓国ビルド年/週 : 2003/33 データ容量 : 512MBクロック速度 : 400メガヘルツ (PC3200) 特徴 : 184ピン, バッファなし非ECCDDR SDRAMDIMMデータチップ構成 : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 チップデータ […]

商品名 : EKmemory DDR3 SDRAM 2ギガバイト2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0メーカー : 製造EKmemory国 : 韓国データ容量 : 2GBクロック速度 : 1333メガヘルツ (PC3-10600) 特徴 : 240ピン, バッファー解除非ECC DDR3 SDRAM DIMMデータチップ組成 : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 チップVDD電圧 : 1.5Vホームページ : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = DRAM&なし= 91