商品名 : Samsung DDR SDRAM 512 MB PC3200 (非純正部品) 品番 : PC3200U-30331-B2M368L6423ETM-CCCメーカー : サムスン電子 (SEC) 製造国 : 韓国ビルド年/週 : 2003/33 データ容量 : 512MBクロック速度 : 400メガヘルツ (PC3200) 特徴 : 184ピン, バッファなし非ECCDDR SDRAMDIMMデータチップ構成 : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 チップデータ […]

商品名 : EKmemory DDR3 SDRAM 2ギガバイト2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0メーカー : 製造EKmemory国 : 韓国データ容量 : 2GBクロック速度 : 1333メガヘルツ (PC3-10600) 特徴 : 240ピン, バッファー解除非ECC DDR3 SDRAM DIMMデータチップ組成 : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 チップVDD電圧 : 1.5Vホームページ : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = DRAM&なし= 91

製品名サムスン4GBのDDR3 SDRAM PC3-10600メモリ (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) メーカーサムスン電子 (SEC) 製造韓国ビルド年/週の国 2011/31 データ容量4ギガバイトクロックスピード1333 (PC3-10600) メモリタイミングCL = 9, tRCD = 9, tRPの= 9は、240pin機能します, バッファー解除非ECC DDR3 SDRAM DIMMのデータビットのx64の深さ / ビット構成の512M / x8の内部モジュール […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viestaメモリ, DDR SDRAMメモリモジュール, Samsung TCCDメモリチップで600Mhzのクロック速度を初めて達成. A-data Viestaのデータ容量は512MBまたは256MBでした. 主にovcrclockingに使用されていました.   製品名A-DATAVitesta DDR600512MB部品番号MDOSSLF3H47A0B1G0ZメーカーA-DATA製造国台湾製造年 2004 184ピンアンバッファ機能 […]

商品名 : ELPIDA 2ギガバイト2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1型番 : EBJ21UE8BFU0-DJ-Fメーカー : 製造ELPIDA国 : 台湾ビルド年/週 : 2010/38 フォームファクタ : DDR3 SO-DIMMの特長 : 204ピン, 非ECCメモリ容量 : 2GBの最大データレート : 1333Mbpsの電圧 : 1.5V組織 : 256Mワード× 64 ビット, 2 ランクチップ構成 : J1108BFBG-DJ-F […]