製品名SamsungDDR2 SDRAM2GB2R×8PC2-6400部品番号M378T5663QZ3-CF7メーカーSamsungElectronics製造国中国製造年/週 2009/04, 2010/07 メモリモジュールタイプDIMMデータ容量2GBクロック速度800Mhz (PC2-6400) メモリタイミングCL = 6, tRCD = 6, tRP = 6機能240ピン, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAMDIMMデータビットx64内部モジュールバンク 8 ランク 2 データ […]

製品名サムスン8ギガバイトDDR3 SDRAM PC3-12800 8GBのDIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) 製造フィリピンのビルド年/週のメーカーサムスン電子の国 2014/08 データ容量8ギガバイトのクロック速度1600Mhz (PC3-12800) メモリタイミングCL = 11, tRCD = 11, tRPの= 11は、240pin機能します, バッファー解除非ECC DDR3 SDRAM DIMM生産プロセス技術 20, 30, 40nmのデータビットのx64内部モジュール銀行 8 ランク […]

商品名 : EKmemory DDR3 SDRAM 2ギガバイト2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0メーカー : 製造EKmemory国 : 韓国データ容量 : 2GBクロック速度 : 1333メガヘルツ (PC3-10600) 特徴 : 240ピン, バッファー解除非ECC DDR3 SDRAM DIMMデータチップ組成 : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 チップVDD電圧 : 1.5Vホームページ : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = DRAM&なし= 91

製品名サムスン4GBのDDR3 SDRAM PC3-10600メモリ (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) メーカーサムスン電子 (SEC) 製造韓国ビルド年/週の国 2011/31 データ容量4ギガバイトクロックスピード1333 (PC3-10600) メモリタイミングCL = 9, tRCD = 9, tRPの= 9は、240pin機能します, バッファー解除非ECC DDR3 SDRAM DIMMのデータビットのx64の深さ / ビット構成の512M / x8の内部モジュール […]

製品名サムスンDDR3 SDRAM PC3-10600 2ギガバイトのメモリ (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) 製造は中国のメーカーサムスン電子国ビルド年/週 2010/38 データ容量2ギガバイトクロックスピード1333 (PC3-10600) 240pin機能, バッファー解除非ECC DDR3 SDRAM DIMM生産プロセス技術は40nmデータビットのx64内部モジュール銀行 8 データチップ組成 [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 チップス […]