製品名サムスンDDR3 SDRAM PC3-10600 2ギガバイトのメモリ (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) 製造は中国のメーカーサムスン電子国ビルド年/週 2010/38 データ容量2ギガバイトクロックスピード1333 (PC3-10600) 240pin機能, バッファー解除非ECC DDR3 SDRAM DIMM生産プロセス技術は40nmデータビットのx64内部モジュール銀行 8 データチップ組成 [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 チップス […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viestaメモリ, DDR SDRAMメモリモジュール, Samsung TCCDメモリチップで600Mhzのクロック速度を初めて達成. A-data Viestaのデータ容量は512MBまたは256MBでした. 主にovcrclockingに使用されていました.   製品名A-DATAVitesta DDR600512MB部品番号MDOSSLF3H47A0B1G0ZメーカーA-DATA製造国台湾製造年 2004 184ピンアンバッファ機能 […]

KMM591000AN-7は、二つのKM44C1000AJ-7チップと一つKM44C1000CJ-7チップで構成されています. KMM591000BN-7は、二つKM44C1000BJ-7チップと一つKM44C1000CJ-7チップで構成されています. 彼らは、サムスン電子によって生成さ1メガバイトDRAM SIMMのです. マニュファクチャリング・カンパニー : サムスン電子製造年 : 1992 / 1993 製造国 : 韓国モジュールの機能 : 30ピン, SIMM, パリティRAMメモリ容量 […]

商品名 : ELPIDA 2ギガバイト2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1型番 : EBJ21UE8BFU0-DJ-Fメーカー : 製造ELPIDA国 : 台湾ビルド年/週 : 2010/38 フォームファクタ : DDR3 SO-DIMMの特長 : 204ピン, 非ECCメモリ容量 : 2GBの最大データレート : 1333Mbpsの電圧 : 1.5V組織 : 256Mワード× 64 ビット, 2 ランクチップ構成 : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAMには、より高速なデータI / Oのための一時的なメモリ領域があります. システムがキャッシュメモリサポートを受け取れない場合に有効です。. ただし、システムにキャッシュメモリがある場合, EDO DRAMの効果はほとんどありません. メーカー : 現代電子産業株式会社, 株式会社. ビルド年/週 : 1997/32 製造国 : 韓国 (韓国) パーツ番号 […]