Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

Տեղադրվել է DeviceLog.com | Տեղադրված է DDR SDRAM | Տեղադրվել է 2015-03-03

0

M368L6423DTM-ը 32M բիթ x է 64 Տվյալների կրկնակի արագություն(DDR) SDRAM բարձր խտության հիշողության մոդուլ՝ հիմնված համապատասխանաբար 256 Մբ DDR SDRAM-ի հինգերորդ սերնդի վրա. M368L6423DTM-ը բաղկացած է տասնվեց CMOS 32M x-ից 8 բիթ 4banks Double Data Rate SDRAM-ներով 66pin TSOP-II-ում(400միլ) փաթեթներ, որոնք տեղադրված են 184 փին ապակե-էպոքսիդային հիմքի վրա. Յուրաքանչյուր DDR SDRAM-ի համար տպագիր տպատախտակի վրա զուգահեռ տեղադրված են չորս 0,1 uF անջատող կոնդենսատորներ. M368L6423DTM երկակի ներգծային հիշողության մոդուլը և նախատեսված է 184 փին եզրային միակցիչի վարդակներում տեղադրելու համար.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Ապրանքային անուն Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Արտադրող Samsung Electronics
Արտադրման երկիր Կորեա
Կառուցել տարի/շաբաթ 2003/12
Տվյալների հզորություն 512ՄԲ
Ժամացույցի արագություն 166Մհց (PC2700, DDR333)
Հիշողության ժամանակացույց CL=2.5
Հատկություններ 184քորոց, DIMM, Չբուֆերացված ոչ ECC DDR SDRAM
Չափը 133.35մմ × 31,75 մմ
Տվյալների բիթերը 64քիչ
Ներքին մոդուլի բանկեր 4
Տվյալների չիպի կազմը K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 բիթ × 16 չիպեր)
Փաթեթ ԾՈՓ-II
VDD լարումը 2.5V ± 0.2V
Օպերացիոն պատյանի ջերմաստիճանի միջակայք 0°C ~ 85°C

Առնչվող գրառումներ:

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800) Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, ոչ իսկական RAM) eK հիշողություն 2 ԳԲ DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 ՄՀց (2Rx8) Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0) Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 ՄՀց (1Rx8, Չինաստան) Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 ՄՀց (2Rx8, Կորեա) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) SAMSUNG DDR4 SDRAM 8 ԳԲ DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) SAMSUNG DDR4 SDRAM 16 ԳԲ PC4-21300 1906Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Առջևի կողմELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 Samsung HD154UI 1,5 ԳԲSamsung Spinpoint F2EG HD154UI 1.5TB Galaxy S4 LTE-A ③Samsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S) Samsung Galaxy S (SHW-M110S) ՆկարSamsaung Galaxy S (SHW-M110S) Macronix MX86200 - SiS 6202Macronix MX86200 (SiS 6202) EK հիշողություն 2 ԳԲ DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK հիշողություն 2 ԳԲ DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM առջևի մասLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
Պիտակներ:, , , , , , , , , , ,

Գրեք մեկնաբանություն