Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

Տեղադրվել է DeviceLog.com | Տեղադրված է DDR SDRAM | Տեղադրվել է 2015-03-03

0

M368L6423DTM-ը 32M բիթ x է 64 Տվյալների կրկնակի արագություն(DDR) SDRAM բարձր խտության հիշողության մոդուլ՝ հիմնված համապատասխանաբար 256 Մբ DDR SDRAM-ի հինգերորդ սերնդի վրա. M368L6423DTM-ը բաղկացած է տասնվեց CMOS 32M x-ից 8 բիթ 4banks Double Data Rate SDRAM-ներով 66pin TSOP-II-ում(400միլ) փաթեթներ, որոնք տեղադրված են 184 փին ապակե-էպոքսիդային հիմքի վրա. Four 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board in parallel for each DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Ապրանքային անուն Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Արտադրող Samsung Electronics
Արտադրման երկիր Կորեա
Կառուցել տարի/շաբաթ 2003/12
Տվյալների հզորություն 512ՄԲ
Ժամացույցի արագություն 166Մհց (PC2700, DDR333)
Հիշողության ժամանակացույց CL=2.5
Հատկություններ 184քորոց, DIMM, Unbuffer Non-ECC DDR SDRAM
Չափը 133.35mm × 31.75mm
Տվյալների բիթերը 64քիչ
Ներքին մոդուլի բանկեր 4
Տվյալների չիպի կազմը K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8bit × 16chips)
Փաթեթ TSOP-II
VDD լարումը 2.5V ± 0.2V
Օպերացիոն պատյանի ջերմաստիճանի միջակայք 0°C ~ 85°C

Առնչվող գրառումներ:

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800) Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, ոչ իսկական RAM) eK հիշողություն 2 ԳԲ DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 ՄՀց (2Rx8) Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0) Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 ՄՀց (1Rx8, Չինաստան) Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 ՄՀց (2Rx8, Կորեա) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) SAMSUNG DDR4 SDRAM 8 ԳԲ DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) SAMSUNG DDR4 SDRAM 16 ԳԲ PC4-21300 1906Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Առջևի կողմELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 Samsung HD154UI 1,5 ԳԲSamsung Spinpoint F2EG HD154UI 1.5TB Galaxy S4 LTE-A ③Samsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S) Samsung Galaxy S (SHW-M110S) ՆկարSamsaung Galaxy S (SHW-M110S) Macronix MX86200 - SiS 6202Macronix MX86200 (SiS 6202) EK հիշողություն 2 ԳԲ DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK հիշողություն 2 ԳԲ DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM առջևի մասLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
Պիտակներ:, , , , , , , , , , ,

Գրեք մեկնաբանություն