סמסונג 1MB DRAM 30 ס"מ סים

פורסם על ידי DeviceLog.com | פורסם ב DRAM מקורי | פורסם ב 2012-05-18

1

סמסונג 1MB DRAM SIMM אחורי (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

סמסונג 1MB DRAM SIMM אחורי (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 מורכב משני שבבי KM44C1000AJ-7 ושבב KM44C1000CJ-7 אחד. KMM591000BN-7 מורכב משני שבבי KM44C1000BJ-7 ושבב KM44C1000CJ-7 אחד. הם 1MB DRAM SIMM המיוצרים על ידי Samsung Electronics.

  • חברה יצרנית : סמסונג אלקטרוניקה
  • שנת ייצור : 1992 / 1993
  • ארץ הייצור : דרום קוריאה
  • תכונות מודול : 30פִּין, SIMM, זיכרון RAM זוגי
  • יכולת זיכרון : 1MB
  • רוחב פס : 8קצת
  • תכונת מהירות : 70ns(tRAC)
  • הרכב שבבים :
    KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
    KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7

פוסטים קשורים:

יונדאי 30 פינים 1MB SIMM (HY51400A × 2 + HT531000A)יונדאי 1MB DRAM 30 ס"מ סים גולדסטאר 30 פינים 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A+GMC71C1000) (צד קדמי)Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) גולדסטאר 30 פינים 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (צד קדמי)Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) יונדאי 72 פינים 16MB DRAM SIMM HY5117404B (צד קדמי)יונדאי 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) יונדאי 4MB EDO DRAM 72PP SIMMM (HYM532100 בבוקר -70) LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM קדמיLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0)
תגים:, , , , , , , , , ,

הערות (1)

tài liệu tự học kế toán אמר ב 2018-08-17

Hello.This article was really fascinating, particularly because I was browsing for thoughts on this
subject last Wednesday.

תְגוּבָה

כתוב הערה

לחץ כאן כדי לבטל את התשובה.