Fabricante : LG Semicon Co., Ltd. País de fabricación : Número de parte de Corea do Sur : ? Factor de forma : Características SIMM : 72alfinete, EDO DRAM, Capacidade de memoria non paritaria : 16MB de ancho de banda : 32bit Velocidade : 60ns(tRAC) Voltaxe : 5Composición do chip V : GM71C17400CJ6 × 8 Ano/Semana de construción do chip : 1998/27 Unha capacidade de chip : 4M […]

Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Construír ano : 1994 País de fabricación : Número de parte de Corea do Sur : Factor de forma HYM532100AM-70 : Tipo de memoria SIMM : Capacidade de memoria Edo Dram : 4Tipo de autobús MB : Memoria de páxina rápida (FPM) Corrección de erros : Pines non pares : 72Pin ancho de banda : 32Latencia de bits : 70ns (tRAC) Voltaxe […]

EDO DRAM ten espazo de memoria temporal para unha E/S de datos máis rápida. É eficaz cando o sistema non pode recibir soporte de memoria caché. Pero se o sistema ten memoria caché, o efecto da EDO DRAM é pouco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Ano/Semana de construción : 1997/32 País de fabricación : Corea (Corea do sur) Número de peza […]