Publicado por DeviceLog.com | Publicado en EDO DRAM | Publicado en 2013-03-15
0


- Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
- Construír ano : 1994
- País de fabricación : Corea do sur
- Número de peza : HYM532100AM-70
- Factor de forma : SIMM
- Memory type : EDO DRAM
- Capacidade de memoria : 4MB
- Bus type : Memoria de páxina rápida (FPM)
- Corrección de erros : Non-parity
- Pins : 72alfinete
- Ancho de banda : 32pouco
- Latency : 70ns (tRAC)
- Voltaxe : 5V
- Composición do chip : [HY514400A J-70] × 8
- Unha capacidade de chip : 1M x 4 bits