Samsung 1Mo DRAM 30pin SIMM

posté par DeviceLog.com | Publié dans DRAM d'origine | Posté sur 2012-05-18

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Samsung 1Mo DRAM arrière SIMM (Khann59l000an-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

Samsung 1Mo DRAM arrière SIMM (Khann59l000an-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 est composé de deux puces KM44C1000AJ-7 et d'une puce KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 est composé de deux puces KM44C1000BJ-7 et d'une puce KM44C1000CJ-7. Ce sont des SIMM DRAM de 1 Mo produits par Samsung Electronics.

  • Entreprise de fabrication : Samsung Electronics
  • Année de fabrication : 1992 / 1993
  • Pays de fabrication : Corée du Sud
  • Caractéristiques du module : 30épingle, SIMM, RAM de parité
  • Capacité mémoire : 1MB
  • BandWidth : 8bit
  • Fonction de vitesse : 70ns(TRAC)
  • Composition de Chip :
    KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
    KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7

commentaires (1)

Bonjour, cet article était vraiment fascinant, en particulier parce que je recherchais des idées à ce sujet
sujet mercredi dernier.

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