Samsung 512 MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

Nork argitaratua DeviceLog.com | urtean argitaratua DDR SDRAM | An argitaratua 2015-03-03

0

M368L6423DTM 32M bit x da 64 Datu-tasa bikoitza(DDR) SDRAM dentsitate handiko memoria modulua 256Mb DDR SDRAM-en bosgarren belaunaldian oinarrituta, hurrenez hurren. M368L6423DTM hamasei CMOS 32M x osatzen dute 8 bit 4bankuko datu-tasa bikoitzeko SDRAMekin 66pin TSOP-II-n(400mil) 184pin beira-epoxi substratu batean muntatutako paketeak. 0.1uF-ko lau desakoplatze-kondentsadore inprimatutako plakan paraleloan muntatzen dira DDR SDRAM bakoitzeko. M368L6423DTM lineako memoria modulu bikoitza eta 184 pin ertzetako konektore-entxufeetan muntatzeko dago..

Samsung DDR SDRAM 256 MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256 MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Produktuaren izena Samsung DDR SDRAM PC2700 512 MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Fabrikatzailea Samsung Elektronika
Fabrikazio-herrialdea Korea
Eraiki urtea / astea 2003/12
Datu-gaitasuna 512MB
Erlojuaren abiadura 166Mhz (PC2700, DDR333)
Memoria Denbora CL=2,5
Ezaugarriak 184pin, DIMM, Unbuffe ez-ECCC DRDM SDRAM
Tamaina 133.35mm × 31,75 mm
Datu bitak 64bit
Barruko moduluen bankuak 4
Datuen txiparen konposizioa K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8bit × 16 txip)
Paketea TSOP-II
VDD tentsioa 2.5V ± 0,2V
Eragiketa-kasuaren tenperatura-tartea 0°C ~ 85 °C

Erlazionatutako mezuak:

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800) Samsung 512 MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, benetakoa ez den RAM) EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) Samsung 32 MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R × 8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM Dimm (2R × 8, M378B1G73QH0-AK0) Samsung 16 MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16 MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, Txina) Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8, Korea) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) SAMSUNG DDR4 SDRAM 16 GB PC4-21300 1906Samsung 16 GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) ELPIDA DDR3 2GB 2RX8 PC10600-9-10-10-F1 fondsideELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SDRAM SDM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 Samsung HD154UI 1,5 GBSamsung Spinpoint F2EG HD154UI 1.5TB Galaxy S4 LTE-A ③Samsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S) Samsung Galaxy S (SHW-M110S) IrudiaSamsung Galaxy S (SHW-M110S) Macronix MX86200 - SiS 6202Macronix MX86200 (SiS 6202) EK Memoria 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memoria 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LGS GM71C17400CJ6 16 MB EDO-DRAM SIMM aurrealdeaLG Semicon 16 MB EDO-DRAM 72 pin SIMM (GM71C17400CJ6) LG Semicon 16 MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
Etiketak:, , , , , , , , , , ,

Idatzi iruzkin bat