Nombre del producto Samsung SDRAM DDR3 PC3-10600 2GB de memoria (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Fabricante Samsung Electronics país de fabricación China, Año de construcción / semana 2010/38 Capacidad de datos de reloj de 2 GB 1333Mhz de velocidad (PC3-10600) características 240pin, Bits de la tecnología de proceso de retirada de búfer sin ECC DDR3 SDRAM DIMM de producción de 40nm de datos bancos x64 módulo interno 8 composición chip de datos [K4B2G0846C SEC HCH9] ✕ 8 papas fritas […]

nombre del producto : ELPIDA 2 GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Número de pieza : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Fabricante : ELPIDA país de fabricación : Taiwán Año de construcción / Semana : 2010/38 Factor de forma : DDR3 SO-DIMM Características : 204alfiler, Capacidad de memoria no ECC : 2GB Max Data Rate : 1333mbps Voltaje : 1.5Organización V : 256M palabras × 64 los bits, 2 ocupa el chip de Composición : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM tiene espacio de memoria temporal para los datos más rápidas de E / S. Es efectivo cuando el sistema no puede recibir ayuda de la memoria caché. Pero si el sistema tiene memoria caché, el efecto de EDO DRAM es poco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Limitado. Año de la estructura / Semana : 1997/32 País de fabricación : Corea (Corea del Sur) Número de pieza […]

Este SIMM plateado con color dorado. El color de recubrimiento y la forma de tablero de esta SIMM es diferente de la SIMM con GM71C4400A. GM71C4400B es 1 M × 4 bits. Y es GM71C1000B 1 M × 4 bits. La capacidad de memoria y la función de esta SIMM no es diferente de la SIMM con GM71C4400A y GM71C1000. Fabricación […]

Goldstar es la marca registrada de Goldstar Electron Co., Limitado. Cambió su nombre a LG Semiconductor (LG Semicon) a 1995, y se fusionó con la industria de Hyundai Electronics (Hynix de ahora) a 1999. Empresa de fabricación : Año de fabricación de Goldstar Electron: 1993 País de fabricación : Características del módulo de Corea del Sur : 30alfiler, DRACMA, SIMM, RAM con paridad […]