Fabricante : LG Semicon Co., Limitado. País de fabricación : Número de parte de Corea del Sur : ? Factor de forma : Características SIMM : 72alfiler, EDO DRAM, Capacidad de memoria sin paridad : 16Ancho de banda MB : 32velocidad de bits : 60ns(TRAC) voltaje : 5Composición de chips V : GM71C17400CJ6 × 8 Año / semana de fabricación del chip : 1998/27 Un chip Capacidad : 4METRO […]

Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Limitado. Año de construcción : 1994 País de fabricación : Número de parte de Corea del Sur : Factor de forma HYM532100AM-70 : Tipo de memoria SIMM : EDO DRAM Capacidad de memoria : 4MB tipo de bus : Memoria Fast Page (FPM) Error de corrección : Pines de no paridad : 72pin ancho de banda : 32latencia de bit : 70ns (TRAC) voltaje […]

EDO DRAM tiene espacio de memoria temporal para los datos más rápidas de E / S. Es efectivo cuando el sistema no puede recibir ayuda de la memoria caché. Pero si el sistema tiene memoria caché, el efecto de EDO DRAM es poco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Limitado. Año de la estructura / Semana : 1997/32 País de fabricación : Corea (Corea del Sur) Número de pieza […]