Nombre del producto : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (piezas no genuinas) número de parte : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Fabricante : Samsung Electronics (SEGUNDO) País de fabricación : Corea del Sur Año de construcción / semana : 2003/33 Capacidad de datos : 512MB velocidad de reloj : 400Megahercio (PC3200) Caracteristicas : 184alfiler, Composición de chip de datos DDR SDRAM DDR sin ECC sin búfer : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 Datos de chips […]

Nombre del producto : EKmemory SDRAM DDR3 de 2 GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Fabricante : EKmemory país de fabricación : Capacidad del Sur Corea de Datos : 2velocidad GB Reloj : 1333Megahercio (PC3-10600) Caracteristicas : 240alfiler, composición de chip Retirar del búfer No ECC DDR3 SDRAM DIMM Data : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 voltaje VDD fichas : 1.5V Página de inicio : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&no = 91

Nombre del producto Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Fabricante Samsung Electronics (SEGUNDO) País de fabricación Corea del Sur Año de construcción / semana 2011/31 Capacidad de datos 4GB Velocidad de reloj 1333Mhz (PC3-10600) Temporización de memoria CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 Características 240pin, Unbuffer DDRM SDRAM DDR3 no ECC Bits de datos x64 Profundidad / Organización de bits 512M / Módulo interno x8 […]

A-DATA Vitesta DDR600 Memoria Viesta, en módulos de memoria DDR SDRAM, En primer lugar, alcanzó una velocidad de reloj de 600Mhz con chips de memoria Samsung TCCD. La capacidad de datos de A-data Viesta era de 512 MB o 256 MB. Fue utilizado principalmente para el ovcrclocking.   Nombre del producto A-DATA Vitesta DDR600 512MB Número de pieza MDOSSLF3H47A0B1G0Z Fabricante A-DATA País de fabricación Taiwán Año de construcción 2004 Características 184pin Unbuffer […]

nombre del producto : ELPIDA 2 GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Número de pieza : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Fabricante : ELPIDA país de fabricación : Taiwán Año de construcción / Semana : 2010/38 Factor de forma : DDR3 SO-DIMM Características : 204alfiler, Capacidad de memoria no ECC : 2GB Max Data Rate : 1333mbps Voltaje : 1.5Organización V : 256M palabras × 64 los bits, 2 ocupa el chip de Composición : J1108BFBG-DJ-F […]