Nombre del producto : Samsung 16 MB SDRAM 16 MB PC66 Número de pieza : Fabricante de KMM366S203CTL-G0 : Samsung Electronics Co., Limitado. (SEGUNDO) País de fabricación : Corea del Sur Año de construcción / semana : 1998/09 Capacidad de datos : 16MB velocidad de reloj : 66Megahercio (PC66) Caracteristicas : 168 alfiler, Composición del chip de datos SDRAM DIMM sin búfer sin ECC : [KM48S2020CT-G10] × 8 papas fritas (2METRO […]

Nombre del producto : LG SDRAM 16MB PC66 Número de parte : GMM2642233BLTG-10K 7101S Fabricante : LG Semicon Co., Limitado. País de fabricación : Corea del Sur Año de construcción / semana : 1997/03 Capacidad de datos : 16MB velocidad de reloj : 66Megahercio (PC66) Caracteristicas : 168alfiler, Composición del chip de datos SDRAM DIMM sin búfer sin ECC : [GM72V16821BT10K] × 8 papas fritas (2M × 64 bits) Uno […]

Fabricante : LG Semicon Co., Limitado. País de fabricación : Número de parte de Corea del Sur : ? Factor de forma : Características SIMM : 72alfiler, EDO DRAM, Capacidad de memoria sin paridad : 16Ancho de banda MB : 32velocidad de bits : 60ns(TRAC) voltaje : 5Composición de chips V : GM71C17400CJ6 × 8 Año / semana de fabricación del chip : 1998/27 Un chip Capacidad : 4METRO […]

EDO DRAM tiene espacio de memoria temporal para los datos más rápidas de E / S. Es efectivo cuando el sistema no puede recibir ayuda de la memoria caché. Pero si el sistema tiene memoria caché, el efecto de EDO DRAM es poco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Limitado. Año de la estructura / Semana : 1997/32 País de fabricación : Corea (Corea del Sur) Número de pieza […]