Fabrikejo : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.. Konstrua Jaro : 1994 Lando de fabrikado : South Korea Part Number : HYM532100AM-70 Form Factor : SIMM Memory type : EDO DRAM Memory Capacity : 4MB Bus type : Fast Page Memory (FPM) Error correction : Non-parity Pins : 72pin Bandwidth : 32bit Latency : 70ns (tRAC) Tensio […]

Produkta nomo : Fabrikanto de EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 : EKmemory Lando de fabrikado : Datuma Kapablo de Sud-Koreio : 2GB Horloĝa rapido : 1333Mhz (PC3-10600) Trajtoj : 240pinglo, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Datuma blato-konsisto : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 blatoj VDD-tensio : 1.5V Hejmpaĝo : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = DRAM&neniu = 91

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Produktanta Kompanio : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Lando de fabrikado : Karakterizaĵoj de la Modulo de Sud-Koreio : 30pinglo, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM havas provizoran memorspacon por pli rapida datuma I/O. Ĝi estas efika kiam la sistemo ne povas ricevi kaŝmemoran subtenon. Sed se la sistemo havas kaŝmemoron, la efiko de EDO DRAM estas malgranda. Fabrikejo : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.. Konstruu Jaro / Semajno : 1997/32 Lando de fabrikado : Koreio (Sudkoreio) parto Nombro […]

Ĉi tiu RAM estas 30-pingla 1MB SIMM produktita de Hyundai Electronics-industrio(Hynix de nun). 30-pin SIMM-oj estis uzataj universale de 80286 al 80486. Se la nombro de blatoj estas nepara nombro, unu el la blatoj plenumas egalecan kontrolon. Ĉi tiu RAM konsistas el du HY514400A(1M x 4bit) kaj unu HY531000A(1M x 1bit). La memorkapablo de […]