Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70)

Poŝtita de DeviceLog.com | Poŝtita en EDO DRAM | Poŝtita sur 2013-03-15

0

Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Rapida Paĝo ne-Parity SIMM

Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Rapida Paĝo ne-Parity SIMM

  • Fabrikejo : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd..
  • Konstrua Jaro : 1994
  • Lando de fabrikado : Sudkoreio
  • parto Nombro : HYM532100AM-70
  • formo Faktoro : SIMM
  • Memorspeco : EDO DRAM
  • memoro Kapacito : 4MB
  • Tipo de buso : Rapida Paĝa Memoro (FPM)
  • Korekto de eraro : Ne-egaleco
  • Pingloj : 72pinglo
  • Larĝa de bando : 32iom
  • atendotempo : 70ns (tRAC)
  • Tensio : 5V
  • blato Komponado : [HY514400A J-70] × 8
  • Kapacito de unu blato : 1M x 4bit

rilataj afiŝoj:

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HY5117404B (Antaŭa flanko)Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM antaŭflankoLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) Hyundai 30-pinglo 1MB SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)Hyundai 1MB DRAM 30pin SIMM La Samsung 1MB DRAM SIMM malantaŭa (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) (antaŭa flanko)Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (antaŭa flanko)Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2RX8) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SUB-DIMM EK Memoro 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memoro 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6
Etikedoj:, , , , , , , , , , , , ,

Skribi komenton