La M368L6423DTM estas 32M bit x 64 Duobla Datuma Imposto(DDR) SDRAM-alta denseca memormodulo surbaze de kvina generacio de 256Mb DDR SDRAM respektive. La M368L6423DTM konsistas el dek ses CMOS 32M x 8 iomete kun 4-bankaj SDRAM-duoblaj datumaj rapidoj en 66-pin TSOP-II(400unu mil) pakoj muntitaj sur 184-pingla vitro-epoksia substrato. Kvar 0.1uF malkunligaj kondensiloj estas […]

Samsung Electronics liberigis DDR3 SDRAM-modulojn uzante la 30nm-procezan teknologion en julio 2010. Ĉi tiu RAM-modulo estis farita per la 40nm-proceza teknologio. Produkta nomo Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Fabrikanto Samsung Elektroniko (SEC) Lando de fabrikado Ĉina Konstrua jaro / semajno 2011/13 Datuma Kapablo 4GB Horloĝa rapido 1333Mhz (PC3-10600) Memorajtempoj […]

Fabrikejo : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.. Konstrua Jaro : 1994 Lando de fabrikado : South Korea Part Number : HYM532100AM-70 Form Factor : SIMM Memory type : EDO DRAM Memory Capacity : 4MB Bus type : Fast Page Memory (FPM) Error correction : Non-parity Pins : 72pin Bandwidth : 32bit Latency : 70ns (tRAC) Tensio […]

Produkta nomo : Samsung SDRAM 32MB PC66 Part number : KMM366S403BTN-G0 Manufacturer : Samsung Elektroniko (SEC) Lando de fabrikado : Sud-Koreia Konstrua jaro / semajno : 1997/33 datumoj Kapacito : 32MB Horloĝa rapido : 66Mhz (PC66) Trajtoj : 168pinglo, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM Data chip composition : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 chips VDD : 3.3V

Produkta nomo : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (neoriginaj partoj) Partnumero : Komputilo PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC : Samsung Elektroniko (SEC) Lando de fabrikado : Sud-Koreia Konstrua jaro / semajno : 2003/33 datumoj Kapacito : 512MB Horloĝa rapido : 400Mhz (PC3200) Trajtoj : 184pinglo, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM Datuma blato-konsisto : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 blatoj Datumoj […]