Produktname : Samsung SDHC Class 10 Wesentlicher 32GB Modellname : MB-SSBGA / KR Hersteller : Samsung Electronics Herstellungsland : Südkorea Speichertyp : SDHC Größe : 32mm x 24 mm x 2,1 mm Datenkapazität : 32GB (2923GiB, 29927MiB) Lesegeschwindigkeit : Max. 24MB / s Schreibgeschwindigkeit : Max. 13MB / s erlaubt Spannung : 2.7 ~ 3.6V […]

Produktname Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Speicher (2rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Hersteller Samsung Electronics (SEC) Herstellungsland Südkorea Baujahr / Woche 2011/31 Datenkapazität 4GB Taktfrequenz 1333Mhz (PC3-10600) Speicher-Timing CL = 9, tRCD = 9, TRP = 9 Leistungsmerkmale 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Datenbits x64 Tiefe / Bitorganisation 512M / x8 Interne Module […]

Produktname Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Speicher (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Hersteller Samsung Electronics Herstellungsland China Baujahr / Woche 2010/38 Datenkapazität 2GB Taktfrequenz 1333Mhz (PC3-10600) Eigenschaften 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3-SDRAM-DIMM-Produktionsprozess Technologie 40nm Datenbits x64 Interne Module Banken 8 Datenchip Zusammensetzung [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 Pommes frites […]

A-DATA Vitesta DDR600 Speicher Viesta, in DDR SDRAM-Speichermodule, erstens 600Mhz Taktgeschwindigkeit erreicht mit Samsung TCCD Speicherchips. Die Datenkapazität des A-Daten Viesta war 512 MB oder 256 MB. Es wurde vor allem für ovcrclocking verwendet.   Produktname A-DATA Vitesta DDR600 512MB Teilenummer MDOSSLF3H47A0B1G0Z Hersteller A-DATA Herstellungsland Taiwan Baujahr 2004 Features 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 ist zwei KM44C1000AJ-7-Chips zusammengesetzt ist und ein KM44C1000CJ-7-Chip. KMM591000BN-7 besteht mit zwei KM44C1000BJ-7-Chips und einem Chip-7 KM44C1000CJ. Sie sind 1MB DRAM SIMMs hergestellt von Samsung Electronics. Produktionfirma : Herstellungsjahr von Samsung Electronics : 1992 / 1993 Herstellungsland : Funktionen des Südkorea-Moduls : 30Stift, SIMM, Paritäts-RAM-Speicherkapazität […]