Samsung 256 GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM-SSD (Phoenix-Controller)

Samsung PM981 ist das von Samsung abgeleitete OEM-Produkt 970 EVO.

Dieses Laufwerk verfügt über das neue 64-Layer-V-NAND von Samsung und einen Hochleistungscontroller, der bis zu 3,000 MB/s sequentieller Lesedurchsatz und 270,000 zufällig gelesene IOPS.

In der frühen Version wurde der Speichercontroller Samsung Polaris V2 verwendet, In der späteren Version wurde jedoch der ARM Phoenix-Speichercontroller verwendet.

Aufgrund seines guten Preis-Leistungs-Verhältnisses war es eine Zeit lang beliebt.

Produktname	Samsung 256 GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM-SSD
Artikelnummer	MZVLB256HAHQ-00000
Modell	MZ-VLB2560
Erscheinungsjahr	2017
Hersteller	Samsung
Herstellungsland	China
P.Produktklassifizierung	Interne SSD (Solid-State-Laufwerk)
Formfaktor	M.2 (2280)
Schnittstelle	PCIe 3.0 (x4) (32GT / s)
Host-Controller-Schnittstelle	NVMe 1.2
Katastrophe	256GB
Byte pro Sektor	512Byte
Speichertyp	NAND-Flash-Speicher, TLC
NAND-Struktur	Samsung V-NAND V4 (TLC-3D-NAND, 64-Schichten)
DRAM	○
SLC-Caching	○
Leistung	– Sequentielles Lesen : 3000MB / s – Sequentielles Schreiben : 1800MB / s – IOPS zum Lesen : Max. 270k – IOPS für Schreiben : Max. 420k
Speichercontroller	ARM Phönix (S4LR020 S821HNQD 1842 ARM Phönix)
NVMe-Kühlkörper	nicht enthalten
UBER	< 1 Sektor pro 10 15 Stückchen gelesen
MTBF	1.5 Millionen Stunden
Temperatur	Betriebs : 0°C~ 70°C Nicht in Betrieb : -40° C ~ 85 ° C
Feuchtigkeit (nicht kondensierend)	Nicht in Betrieb : 5 ~ 95%
Linearer Schock	Nicht in Betrieb (0.5ms Dauer mit 1/2 Sinus) : 1,500 Gpeak
Vibration	Nicht in Betrieb (20 ~ 2,000 Hz, Sinusförmig) : 20 Gpeak
Spannungswelligkeit/Rauschen (max.)	100mV p-p
Energieverbrauch	– Lesen (Typ, RMS) : 5.9W – Schreiben (Typ, RMS) : 5.7W – Leerlauf (Typ) : 30mW – L1.2 (Typ) : 5mW
Breite	22.00 ± 0.15 mm
Länge	80.00 ± 0.15 mm
Höhe	Max. 2.38 mm
Gewicht	Max. 9.0G