Produktname Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Speicher (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Hersteller Samsung Electronics Herstellungsland China Baujahr / Woche 2010/38 Datenkapazität 2GB Taktfrequenz 1333Mhz (PC3-10600) Eigenschaften 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3-SDRAM-DIMM-Produktionsprozess Technologie 40nm Datenbits x64 Interne Module Banken 8 Datenchip Zusammensetzung [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 Pommes frites […]

Produktname : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1-Teilenummer : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Hersteller : ELPIDA Herstellungsland : Taiwan Baujahr / Woche : 2010/38 Formfaktor : DDR3 SO-DIMM-Funktionen : 204Stift, Nicht-ECC-Speicher Kapazität : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Spannungs : 1.5V-Organisation : 256M Worte × 64 Bits, 2 stuft Chip Zusammensetzung : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM hat temporären Speicherplatz für eine schnellere Daten-I / O. Es ist wirksam, wenn das System nicht Cache-Speicher-Unterstützung erhalten. Aber wenn die System-Cache-Speicher, die Wirkung von EDO DRAM kaum. Hersteller : Hyundai Electronics Industries Co., GmbH. Baujahr / Woche : 1997/32 Herstellungsland : Korea (Südkorea) Artikelnummer […]

Dieses SIMM ist mit goldener Farbe überzogen. Die Beschichtungsfarbe und die Platinenform dieses SIMM unterscheiden sich vom SIMM mit GM71C4400A. GM71C4400B ist 1 M × 4 Bit. Und GM71C1000B ist 1 M × 4 Bit. Die Speicherkapazität und die Funktion dieses SIMM unterscheiden sich nicht vom SIMM mit GM71C4400A und GM71C1000. Herstellung […]

Goldstar ist das Markenzeichen von Goldstar Electron Co., GmbH. Es änderte seinen Namen in LG Semiconductor (LG Semicon) beim 1995, und es wurde in Hyundai Electronics-Industrie zusammen (Hynix von jetzt) beim 1999. Produktionfirma : Goldstar Electron Herstellungsjahr: 1993 Herstellungsland : Funktionen des Südkorea-Moduls : 30Stift, DRAM, SIMM, Parity RAM […]