Produktname : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (Nicht-Original-Teile) Artikelnummer : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Hersteller : Samsung Electronics (SEC) Herstellungsland : Südkorea Baujahr / Woche : 2003/33 Datenkapazität : 512MB Taktfrequenz : 400Mhz (PC3200) Eigenschaften : 184Stift, Ungepufferte Nicht-ECC DDR SDRAM DIMM Daten zu : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 Chips Daten […]

Produktname : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Hersteller : EKmemory Herstellungsland : Südkorea Datenkapazität : 2GB Taktfrequenz : 1333Mhz (PC3-10600) Eigenschaften : 240Stift, Unbuffer Non-ECC DDR3-SDRAM-DIMM-Daten-Chip Zusammensetzung : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 Chips VDD-Spannung : 1.5V Homepage : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = Dram&no = 91

Produktname Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Speicher (2rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Hersteller Samsung Electronics (SEC) Herstellungsland Südkorea Baujahr / Woche 2011/31 Datenkapazität 4GB Taktfrequenz 1333Mhz (PC3-10600) Speicher-Timing CL = 9, tRCD = 9, TRP = 9 Leistungsmerkmale 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Datenbits x64 Tiefe / Bitorganisation 512M / x8 Interne Module […]

A-DATA Vitesta DDR600 Speicher Viesta, in DDR SDRAM-Speichermodule, erstens 600Mhz Taktgeschwindigkeit erreicht mit Samsung TCCD Speicherchips. Die Datenkapazität des A-Daten Viesta war 512 MB oder 256 MB. Es wurde vor allem für ovcrclocking verwendet.   Produktname A-DATA Vitesta DDR600 512MB Teilenummer MDOSSLF3H47A0B1G0Z Hersteller A-DATA Herstellungsland Taiwan Baujahr 2004 Features 184pin Unbuffer […]

Produktname : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1-Teilenummer : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Hersteller : ELPIDA Herstellungsland : Taiwan Baujahr / Woche : 2010/38 Formfaktor : DDR3 SO-DIMM-Funktionen : 204Stift, Nicht-ECC-Speicher Kapazität : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Spannungs : 1.5V-Organisation : 256M Worte × 64 Bits, 2 stuft Chip Zusammensetzung : J1108BFBG-DJ-F […]